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13 de junio de 2012

PMDPB80XP 20 V, de doble canal P Trench MOSFET

De doble canal P modo de mejora de efecto de campo transistor (FET) en un pequeño y sin plomo ultra delgado DFN2020-6 (SOT1118) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico utilizando la tecnología de Trench MOSFET.

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Características y beneficios

  • 1.8 VR DSon clasificado para la unidad de bajo voltaje de la puerta
  • Fosa de tecnología MOSFET
  • Pequeño y sin plomo ultra delgado paquete de SMD de plástico: 2 x 2 x 0,65 mm
  • Expuesto de drenaje para la plataforma de conducción térmica excelente

Aplicaciones

  • Interruptor de carga para dispositivos portátiles
  • Convertidores DC / DC
  • Pequeña corriente continua sin escobillas motor de accionamiento
  • Gestión de la energía en la batería de los portátiles impulsados ​​por
  • Disco duro y la gestión de potencia de cálculo

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