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22 de junio de 2012

PDTC115EMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. PNP complemento: PDTA115EMB.

 

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Características y beneficios

  • 20 mA capacidad de corriente de salida
  • Reduce el número de componentes
  • Resistencias de polarización
  • Reduce los costes de recogida y colocación
  • Simplifica el diseño de circuitos
  • AEC-Q101 calificado
  • Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
  • La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

  • Baja corriente controladores de periféricos
  • El control de entradas de CI
  • Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
  • Las aplicaciones móviles

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