De doble canal P modo de mejora de efecto de campo transistor (FET) en un pequeño y sin plomo ultra delgado DFN2020-6 (SOT1118) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico utilizando la tecnología de Trench MOSFET.
Características y beneficios
- 1.8 VR DSon clasificado para la unidad de bajo voltaje de la puerta
- Fosa de tecnología MOSFET
- Pequeño y sin plomo ultra delgado paquete de SMD de plástico: 2 x 2 x 0,65 mm
- Expuesto de drenaje para la plataforma de conducción térmica excelente
Aplicaciones
- Interruptor de carga para dispositivos portátiles
- Convertidores DC / DC
- Pequeña corriente continua sin escobillas motor de accionamiento
- Gestión de la energía en la batería de los portátiles impulsados por
- Disco duro y la gestión de potencia de cálculo
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