NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) ha anunciado hoy la ampliación de su octava generación (Gen8) LDMOS cartera de transistor de potencia de RF de estaciones base inalámbricas, con una excelente eficiencia linealizada, la ganancia y la capacidad de banda ancha. Cubriendo todas las bandas principales celulares de frecuencia entre 700 a 2700 MHz, la última versión de proceso probado NXP LDMOS aumenta la eficiencia de los amplificadores Doherty por tanto como tres puntos y mejora la ganancia por tanto como 1 dB. Últimas NXP LDMOS transistores de potencia de RF ofrecen hasta 115 MHz de ancho de banda de señal para permitir banda completa la operación para todas las bandas de frecuencias celulares, incluyendo GSM, W-CDMA y LTE, así como de ancho de banda de vídeo sin precedentes de hasta 300 Mhz.
Diseñado para aplicaciones sensibles al coste, los nuevos transistores LDMOS Gen8 P1dB ofrecen potencias de hasta 270 vatios en SOT502 del tamaño de los paquetes, y 400 vatios en SOT539 del tamaño de los paquetes. La densidad de potencia de avance Gen8 NXP los transistores LDMOS ayuda a reducir el tamaño y peso de los amplificadores Doherty - y, finalmente, el armario estación base - significativamente. Combinados, estas mejoras también reducir los gastos totales relacionados con la refrigeración y el funcionamiento. Las muestras de ingeniería de 17 tipos de productos ya están disponibles. NXP presentará sus últimas Gen8 transistores LDMOS en el MTT-S de la semana próxima International Microwave Symposium 2012 en Montreal, Canadá (stand 607).
Desarrollado en estrecha colaboración con clientes clave, Gen8 NXP LDMOS permite la mejor en su clase, los rendimientos de fabricación de amplificadores de potencia. Los transistores Gen8 lograr la consistencia del producto excelente a través de un diseño que utiliza la coincidencia menos sensible topologías, y las frecuencias de resonancia de los lugares redes de adaptación fuera de la banda para limitar el impacto de las variaciones de fabricación en el rendimiento. Durante la fabricación, la línea de producción se calibra en la frecuencia de resonancia antes del comienzo de cada lote. Durante las pruebas, hurgar en la basura (de ganancia y fase) es posible que los diseños sensibles Doherty, con varias opciones disponibles para aumentar la correlación con la aplicación, incluidas las pruebas de los transistores Doherty asimétricos.
"Después de varios meses de desarrollo y pruebas, estamos muy contentos de haber lanzado los nuevos miembros de nuestra familia de alto rendimiento Gen8 LDMOS transistores de potencia de RF. Con embalaje optimizado, diseño de la matriz, y de entrada y salida de las estructuras de los partidos, NXP Gen8 se está convirtiendo en la plataforma de elección para los múltiples amplificadores de banda ancha estándar de energía Doherty que son altamente compacta, rentable y de bajo consumo ", dijo Christophe Cugge, director de la comercialización, los amplificadores de potencia de base de la estación, NXP Semiconductors. "Basándonos en nuestros 30 años de patrimonio en RF dispositivos de potencia, la octava generación de NXP LDMOS cartera de transistor de RF ayuda a nuestros clientes a resolver las demandas a menudo conflictivas de la infraestructura inalámbrica avanzada y la tecnología actuales de la estación base, la entrega de un mejor rendimiento y mayor eficiencia en una mucho menor cuesta. "
Enlaces
- NXP de RF Manual, 16 ª edición (ver página 48): http://www.nxp.com/products/related/rf-manual/
- NXP Gen8 LDMOS prospecto: http://www.nxp.com/documents/leaflet/75017301.pdf
- BLF8G10L (S) -160 - 160 W transistor de potencia LDMOS para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 920 a 960 MHz.
- BLF8G22LS-200V - 200 W transistor de potencia LDMOS para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2110 MHz a 2170 MHz
- BLF8G22LS-270V - 270 W transistor de potencia LDMOS para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2110 MHz a 2170 MHz
- BLF8G24L (S)-200P - 200 W transistor de potencia LDMOS para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2300 MHz a 2400 MHz
- Dé rienda suelta a la realización de amplificadores de alta potencia de RF con Gen8 LDMOS (semiconductor de óxido metálico difundido lateralmente) Tecnología: http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/technologies/ldmos.html~~HEAD=NNS
No hay comentarios:
Publicar un comentario