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6 de mayo de 2011

Z-FET ™ CMF20120D - Industria MOSFET de SiC Primera

 

Lograr la eficiencia de registro con mejora de la fiabilidad significativa sobre la competencia dispositivos de silicio.

Cree MOSFET1200 V 80 mW

  • De alta velocidad de conmutación
  • Bajo capacitancias
  • Sólo el 20% de aumento en el RDS (on)
    más de temperatura de funcionamiento
  • Fácil paralelo

Cree SiC forward characteristics

  • Menor pérdida de la conmutación de su clase.
  • Permite significativamente mayores frecuencias de conmutación con una eficiencia de clase mundial.
  • magnetismo y la reducción de tamaño del filtro con significativa reducción de las necesidades de refrigeración.
  • RoHS, REACH y libre de halógenos compatible
Cree SiC switching characteristics

Cree MOSFET

 

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