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22 de abril de 2011

Toshiba lanza proceso de 19nm de memoria flash NAND

 

TOKIO - Toshiba Corporation (TOKYO: 6502), lo que refuerza su liderazgo en el desarrollo y fabricación de vanguardia, de alta densidad de memorias flash NAND, anunció hoy que ha fabricado memorias flash NAND de 19nm con * una tecnología de proceso, el mejor nivel alcanzado aún . Esta tecnología avance más reciente ya se ha aplicado a 2 bits por celda de 64-gigabit (Gb) de chips que son el más pequeño del mundo y ofrecer la más alta densidad en un solo chip (8 gigabytes (GB)) * 2 . Toshiba también se añadirán 3 bits por celda de productos, fabricados con la tecnología de proceso de 19nm a su línea de productos.

Las muestras de 2 bits por celda de 64 gigabits estará disponible a partir del final de este mes con la producción masiva programada para el tercer trimestre del año (julio a septiembre de 2011).

Toshiba lidera la industria en la fabricación de alta densidad, tamaño pequeño mueren chips de memoria flash NAND. Aplicación de la tecnología de proceso de generación de 19nm más se reducirá el tamaño del chip, lo que permite a Toshiba a montar dieciséis 64Gbit chips de memoria flash NAND en un solo paquete y para ofrecer dispositivos de 128 GB para su aplicación en los teléfonos inteligentes y Tablet PC. Los productos de proceso de 19nm también están equipados con Activar DDR2.0, lo que aumenta la velocidad de transferencia de datos.

A medida que el mercado de equipos móviles, como teléfonos inteligentes, Tablet PC, y SSD (discos de estado sólido) se expande, la demanda para los pequeños, los productos de mayor densidad de memoria crece. Al acelerar el proceso de migración en la memoria flash NAND de Toshiba tiene como objetivo reforzar y ampliar su liderazgo en el mercado de memoria flash NAND.

Tenga en cuenta:

* 1
nm = nanómetro (1 mil millonésima de metro)
* 2
Fuente: Toshiba Corporation, abril 2011

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