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26 de abril de 2011

PSMN5R9-30YL N-canal de 6,1 mW 30 V TrenchMOS nivel lógico FET en LFPAK

PSMN5R9-30YL

Nivel de la lógica del realce del N-canal de modo de transistor de efecto de campo (FET) en un paquete de plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y cualificado para su uso en aplicaciones industriales y de comunicaciones.

  • Alta debido a bajas pérdidas de conmutación y la eficiencia de conducción
  • Conveniente para las fuentes de nivel lógico impulsión de la puerta
  • Amplificadores de Clase-D
  • CC-CC los convertidores
  • De control de motores
  • suministros de energía del servidor
  • SOT669 (LFPAK; Power-SO8)
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