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28 de mayo de 2013

PMPB40SNA 60 V de canal N MOSFET Trench

 

Modo de enriquecimiento de canal N del transistor de efecto de campo (FET) en una potencia media sin plomo DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface Mounted Device-envase de plástico (SMD) con tecnología MOSFET Trench.

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Características y ventajas

  • Tecnología MOSFET Trench
  • Pequeño y sin plomo ultra fino paquete de plástico SMD: 2 x 2 x 0,65 mm
  • Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
  • Estañado 100% almohadillas laterales soldables para la inspección de soldaduras óptica
  • AEC-Q101 calificado

Aplicaciones

  • Controlador de relé
  • Conductor de línea de alta velocidad
  • Interruptor de carga del lado bajo
  • Circuitos de conmutación
  • Hoja de datos

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