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30 de mayo de 2012

Transistor PDTA123JMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 2,2 kW, R2 = 47 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. NPN complemento: PDTC123JMB.

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Características y beneficios

  • 100 mA capacidad de corriente de salida
  • Reduce el número de componentes
  • Resistencias de polarización
  • Reduce los costes de recogida y colocación
  • Simplifica el diseño de circuitos
  • AEC-Q101 calificado
  • Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
  • La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

  • Baja corriente controladores de periféricos
  • El control de entradas de CI
  • Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
  • Las aplicaciones móviles

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