loading...

30 de mayo de 2012

PDTC124EMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 22 kW, R2 = 22 kW

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. PNP complemento: PDTA124EMB.

image

 

Características y beneficios

  • 100 mA capacidad de corriente de salida
  • Reduce el número de componentes
  • Resistencias de polarización
  • Reduce los costes de recogida y colocación
  • Simplifica el diseño de circuitos
  • AEC-Q101 calificado
  • Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
  • La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

  • Baja corriente controladores de periféricos
  • El control de entradas de CI
  • Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
  • Las aplicaciones móviles

No hay comentarios:

Publicar un comentario