Diseñado para los entornos más difíciles de la ingeniería, NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) ha presentado hoy su nueva familia XR de "extremadamente resistente" transistores de potencia RF LDMOS. La familia XR, está diseñado, para que dure como clavos, para resistir las duras condiciones de falla a menudo en aplicaciones tales como los láseres industriales, grabado de metales y perforación de hormigón. Sobre la base de líder de NXP industria de la tecnología LDMOS, la familia se extiende XR LDMOS, en el resto de dominios pocos que son atendidos por VDMOS y los transistores bipolares de hoy. ON presentará su primer XR transistor de potencia RF, el BLF578XR , esta semana en el IEEE MTT-S Simposio Internacional Microondas 2011 (IMS2011) en Baltimore, Maryland (stand n º 420).
Repentinos y graves trastornos de carga son comunes en ciertas aplicaciones de la energía de RF. El transistor de potencia de RF se espera que sobreviva a todos, sin fallo o la degradación, a través de años de vida activa. Estas perturbaciones de carga se replican en el laboratorio por los desajustes inducir en el lado de la carga, con la gravedad de la falta de correspondencia registrada como una relación de onda de tensión (ROE). Aunque la mayoría de las aplicaciones de estación de base y difusión requieren "robusto" transistores de potencia RF para sobrevivir a un ROE de 10:1 en todas las fases, el "extremadamente resistente" BLF578XR fácilmente sobrevive VSWR repetidas pruebas de 125:1 - el nivel más alto medido por la prueba unidad. Esto es particularmente crítico para las aplicaciones ICM algunos que requieren el transistor de potencia de RF para sobrevivir a una prueba de ROE que puede superar los 100:1.
"Nuestra nueva familia extremadamente resistente ofrece robustez mejores en su clase, la apertura de nuevos mercados para la energía de RF, que antes eran impensables. La prueba de falta de coincidencia, donde hemos demostrado que la BLF578XR puede sobrevivir a un ROE de 125:1, habla por sí mismo. Para demostrar aún más cuán resistente es la XR, hemos dado un paso más para replicar una serie de condiciones de falla extrema, y no hemos encontrado ningún impacto en el desempeño de la BLF578XR.Damos la bienvenida a los ingenieros de RF poder de ver esto por sí mismos - en IMS2011, en nuestro 'Unbreakable' de video y en sus propios laboratorios ", dijo Mark Murphy, director de productos de potencia de RF, NXP Semiconductors. "Como proveedor líder en volumen con más de 15 años en este mercado, NXP es seguir ampliando las fronteras en la tecnología de frecuencia de radio de alto rendimiento mediante la entrega de LDMOS líder en rendimiento con resistencia VDMOS similar y sin ningún tipo de estructura de costo adicional."
El BLF578XR nueva es una versión extremadamente resistente de BLF578 ubicua de NXP, un caballo de batalla del transistor de potencia de RF para una multitud de aplicaciones de difusión e ISM. En la mayoría de las aplicaciones, el BLF578XR será un simple plug-in de reemplazo para el BLF578.
Características técnicas
El BLF578XR características más avanzadas de NXP tecnología LDMOS, y está diseñado para aplicaciones donde se requiere robustez extrema.
- Rango de frecuencia: de 0 a 500 MHz
- Ganancia: 24 dB a 225 MHz
- Eficiencia: 70% a 225 MHz
- VSWR: 125:1 a 1200 W a través de todas las fases
- Pico de potencia de salida: 1400 W (pulsos)
- Térmicamente mejorado: 0.14 K / W
Disponibilidad
NXP muestras BLF578XR ya están disponibles, con un volumen de envío para comenzar en la Q3 de 2011. Más información está disponible en:http://www.nxp.com/pip/BLF578XR.html
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