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10 de diciembre de 2010

CSD17505Q5A 30 V, N-Canal NexFET ™ MOSFET de la energía con 20 voltios Vgs

Hoja de datos
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Descripción
El MOSFET de potencia NexFET ™ ha sido diseñado para minimizar las pérdidas en las solicitudes de conversión de la energía.
Características
  • Ultralow Q g y Q gd
  • Baja Resistencia térmica
  • Avalancha clasificado
  • Pb libre Terminal forro
  • RoHS
  • Libre de Halógenos
  • Hijo de 5 mm x 6 mm Envases de plástico
  • APLICACIONES
    • Buck síncronos punto de carga de red, 
      Telecomunicaciones y sistemas de computación
    • Optimizado para el Control y aplicaciones síncronas FET
NexFET es una marca comercial de Texas Instruments.

Paramétricas
 CSD17505Q5ACSD17507Q5A CSD17510Q5A 
VGS (V)+20 / -12  20/-12  20/-12  
VGSTH (V)1.3  1.6  1.5  
VDS (V)30  30  30  
QGD (NC)2.7  0.7  1.9  
QGS (NC)3.5  1.3  2.7  
QG (NC)10  2.8  6.4  
RDS (on) en VGS = 4.5V (mOhm)3.7  11.8  5.4  
Pin / Paquete 8SON  8SON  
Rango de temperatura (° C)-55 A 150  -55 A 150  -55 A 150  

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