loading...

25 de diciembre de 2012

BLF640 LDMOS transistor de potencia de banda ancha

10 W LDMOS transistor de potencia para aplicaciones en frecuencias de HF a 2200 MHz.

Características y ventajas

  • Fácil control de potencia
  • Integrado Protección ESD
  • Excelente resistencia
  • Alta eficiencia
  • Excelente estabilidad térmica
  • No coincidencia interno para operación de banda ancha
  • Cumple con la Directiva 2002/95/EC que restringe relación de sustancias peligrosas

Aplicaciones

  • Amplificadores de potencia de RF para aplicaciones en el rango HF a 2200 MHz de frecuencia
  • Conductores de difusión

Hoja de datos

No hay comentarios:

Publicar un comentario