loading...

26 de noviembre de 2011

P-MOSFET UM2301. N-MOSFET UM2302. P-MOSFET UM8515.

image


El UM2301 es un umbral bajo P-MOSFET de canal, tienen muy baja resistencia. Este beneficio proporciona al diseñador con un dispositivo muy eficiente para el uso de la batería y la carga aplicaciones de gestión. Los dispositivos utilizan un ahorro de espacio, de contorno pequeño SOT23-3L paquete.


Aplicaciones características
paquetes de baterías
pilas de equipos portátiles
teléfonos celulares e inalámbricos
drenaje-fuente de voltaje (max):-20V
baja resistencia:
90mΩ @ VGS =- 4,5 V
110mΩ @ VGS =- 2,5 V
Corriente continua de drenaje (max):-2A @ 25 ℃

image

El UM2302 es un umbral bajo N-MOSFET de canal, que tiene baja resistencia, de alta fiabilidad y estabilidad, así como la capacidad de cambiar rápidamente y la corriente de alta saturación. este beneficio provee al diseñador con un dispositivo muy eficiente para el uso de la batería y la gestión de carga las aplicaciones. Los dispositivos utilizan un ahorro de espacio, de contorno pequeño SOT23-3L o paquete SC70-3.


Aplicaciones características
paquetes de baterías
pilas de equipos portátiles
teléfonos celulares e inalámbricos
drenaje-fuente de voltaje (max): 60V
baja resistencia (típico):
1.2Ω @ VGS = 10V
1.7Ω @ VGS = 5V
Corriente continua de drenaje (max):
115mA @ 25 ℃

image

El UM8515 es un umbral bajo P-MOSFET de canal, tienen muy baja resistencia. Este beneficio proporciona al diseñador con un dispositivo muy eficiente para el uso de la batería y las aplicaciones de gestión de carga. Los dispositivos utilizan un ahorro de espacio, de contorno pequeño paquete SOT23-6.


Aplicaciones características
paquetes de baterías
drenaje-fuente de voltaje (max):-20V
pilas de equipos portátiles
baja resistencia:
teléfonos celulares e inalámbricos
90mΩ @ V =- 4.5V GS
110mΩ @ V =- 2,5 V GS
Corriente continua de drenaje (max):-2A @ 25 ℃

image

El UM8516 es un umbral bajo P-MOSFET de canal con la puerta a la fuente de la protección de TVS, a muy baja resistencia. Este beneficio proporciona al diseñador con un dispositivo muy eficiente para su uso en la batería y las aplicaciones de gestión de carga. Los dispositivos utilizan un ahorro de espacio, de contorno pequeño paquete SOT23-6.


Aplicaciones características
paquetes de baterías
pilas de equipos portátiles
teléfonos celulares e inalámbricos
drenaje-fuente de voltaje (max):-20V
baja resistencia:
90mΩ @ VGS =- 4,5 V
110mΩ @ VGS =- 2,5 V
Corriente continua de drenaje (max):-2A @ 25 ℃

image

No hay comentarios:

Publicar un comentario