BLF8G27LS-100V Energía LDMOS transistor

100 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2500 MHz a 2700 MHz.

Características y ventajas

• Excelente resistencia
• Alta eficiencia
• R Low _ª proporcionar una excelente estabilidad térmica
• La disociación conduce a un ancho de banda de vídeo mejorada
• Diseñado para operación de banda ancha (2500 MHz a 2700 MHz)
• La producción más baja capacitancia para mejorar el rendimiento en aplicaciones de Doherty
• Diseñado para los efectos de poca memoria que proporcionan una excelente pre-distortability
• Internamente emparejado para la facilidad de uso
• Integrado Protección ESD
• Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS) Directiva 2002/95/CE

Aplicaciones

• Amplificadores de potencia de RF de estaciones de base
• Multiportadora aplicaciones en la banda de 2500 a 2700 MHz Rango de frecuencia

• Búsqueda paramétrica todo desde 2,5 hasta 2,7 GHz transistores

Hoja de datos

PBSS4260PANP 60 V, 2 A NPN / PNP low VCEsat (BISS) transistor

NPN / PNP bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico.

NPN / PNP complemento: PBSS4260PAN. PNP / PNP complemento: PBSS5260PAP.

Características y ventajas

• Muy bajo colector-emisor de saturación de tensión V _CEsat
• Capacidad coleccionista de alta intensidad I _C y _CM
• Alta corriente de colector ganancia h _FE en alto que _C
• La reducción de placa de circuito impreso (PCB) los requisitos
• Alta eficacia debido a la generación de calor menor
• AEC-Q101 calificado

Aplicaciones

• Cargar conmutador
• Batería dispositivos controlados
• Gestión de la energía
• Circuitos de carga
• Interruptores de energía (por ejemplo, motores, ventiladores)

Hoja de datos

• Serie Doble bajos VCEsat (BISS) transistores en DFN2020-6

  Voltaje colector-emisor VCEO = 30 V, 60 V y 120 V, corriente de colector IC = 1 A y 2 A

• Búsqueda paramétrica todos Bajos VCEsat (BISS) transistores

BLF8G19LS-170BV Energía LDMOS transistor

170 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 1800 MHz a 1990 MHz.

Características y ventajas

• Excelente resistencia
• Alta eficiencia
• R Low _ª proporcionar una excelente estabilidad térmica
• La disociación conduce a un ancho de banda de video mejorado (100 MHz típico)
• La producción más baja capacitancia para mejorar el rendimiento en aplicaciones de Doherty
• Diseñado para los efectos de poca memoria que proporcionan una excelente pre-distortability
• Internamente emparejado para la facilidad de uso
• Integrado Protección ESD
• Sentido corriente integrada
• Cumple con la Directiva 2002/95/EC que restringe relación de sustancias peligrosas

Aplicaciones

• RF amplificadores de potencia para W-CDMA estaciones base
• Multiportadora aplicaciones en la banda de 1800 a 1990 MHz Rango de frecuencia

• Búsqueda paramétrica todo desde 1,8 hasta 2,0 GHz transistores

Hoja de datos

PBSS4130PAN 30 V, 1 A NPN / NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

NPN / PNP bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico.

NPN / PNP complemento: PBSS4130PANP. PNP / PNP complemento: PBSS5130PAP.

Características y ventajas

• Muy baja saturación colector-emisor Tensión V _CEsat
• Capacidad de alta corriente de colector I _C I y _CM
• Alta corriente de colector ganancia h _FE en alto que _C
• La reducción de placa de circuito impreso (PCB) los requisitos
• Alta eficiencia energética debido a la menor generación de calor
• AEC-Q101 calificado

Aplicaciones

• Cargar conmutador
• Batería dispositivos controlados
• Gestión de la energía
• Circuitos de carga
• Interruptores de energía (por ejemplo, motores, ventiladores)

• Búsqueda paramétrica todos Bajos VCEsat (BISS) transistores de doble NPN / NPN

Hoja de datos

BTA420X-800BT 3Q Hi-Com triac

Planar pasivado alta conmutación de tres triac en un cuadrante SOT186A (TO-220F) "paquete completo" paquete de plástico para uso en circuitos donde la alta estática y dinámica dV / dt y de alto dI / dt pueden ocurrir. Esta "serie BT" triac se conmutar el RMS completos actuales en la temperatura de la unión máxima (T _{j (max)} = 150 ° C) sin la ayuda de un amortiguador. Se utiliza en aplicaciones donde se requiere "que operan alta capacidad de unión de temperatura".

Características y ventajas

• 3Q tecnología para mejorar la inmunidad al ruido
• Capacidad de conmutación de alta con una máxima inmunidad falsa activación
• Alta inmunidad a falsas del encendido por dV / dt
• Funcionamiento de alta temperatura de la unión capacidad
• Capacidad de alto voltaje
• Aislado base de montaje del paquete
• Compuerta menos sensible para la inmunidad de ruido más alto
• Planar pasivado para su robustez y fiabilidad voltaje
• Activación en tres cuadrantes sólo

Aplicaciones

• Aplicaciones de alta temperatura
• Controles de calefacción
• Alto poder de control del motor
• Conmutación de alta potencia

Hoja de datos

BTA420X-800CT 3Q Hi-Com triac

Planar pasivado alta conmutación de tres triac en un cuadrante SOT186A (TO-220F) "paquete completo" paquete de plástico para uso en circuitos donde la alta estática y dinámica dV / dt y de alto dI / dt pueden ocurrir. Esta "serie CT" triac se conmutar la corriente RMS completo en la temperatura de la unión máxima (T _{j (max)} = 150 ° C) sin la ayuda de un amortiguador. Se utiliza en aplicaciones donde se requiere "que operan alta capacidad de unión de temperatura".

Características y ventajas

• 3Q tecnología para mejorar la inmunidad al ruido
• Capacidad de conmutación de alta con una máxima inmunidad falsa activación
• Alta inmunidad a falsas del encendido por dV / dt
• Funcionamiento de alta temperatura de la unión capacidad
• Capacidad de alto voltaje
• Aislado base de montaje del paquete
• Compuerta menos sensible para alta inmunidad al ruido
• Planar pasivado para su robustez y fiabilidad voltaje
• Activación en tres cuadrantes sólo

Aplicaciones

• Aplicaciones de alta temperatura
• Controles de calefacción
• Alto poder de control del motor
• Conmutación de alta potencia

Hoja de datos

PBSS4240X 40 V, 2 A NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

NPN bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media y plomo SOT89 plano para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico. PNP complemento: PBSS5240X.

Características y ventajas

• Baja saturación colector-emisor Tensión V _CEsat
• Capacidad de alta corriente de colector I _C I y _CM
• Alta eficacia debido a la generación de calor menor

Aplicaciones

• DC-a-DC conversión
• Suministro de conmutación de línea
• Cargador de baterías
• Retroiluminación LCD
• Conductor en aplicaciones de baja tensión de alimentación (por ejemplo, lámparas y LEDs)
• Controlador de carga inductiva (por ejemplo, relés, alarmas y motores)

Hoja de datos

PBSS4240X 40 V, 2 A NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

NPN bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media y plomo SOT89 plano para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico. PNP complemento: PBSS5240X.

 

Características y ventajas

• Baja saturación colector-emisor Tensión V _CEsat
• Capacidad de alta corriente de colector I _C I y _CM
• Alta eficacia debido a la generación de calor menor

Aplicaciones

• DC-a-DC conversión
• Suministro de conmutación de línea
• Cargador de baterías
• Retroiluminación LCD
• Conductor en aplicaciones de baja tensión de alimentación (por ejemplo, lámparas y LEDs)
• Controlador de carga inductiva (por ejemplo, relés, alarmas y motores)

Hoja de datos

Mosfet PSMN3R0-30MLC N-canal 30 V 3.15mΩ la lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una amplia gama de actividades industriales, de comunicaciones y equipos domésticos

 

Características y beneficios

• Inductancia parásita de baja y la resistencia
• Optimizado para la unidad de Puerta de 4.5V utilizando la tecnología NextPower Superjunction
• QG ultra bajo, Gambito de Dama, y ​​QOSS para la eficacia del sistema de alta con cargas bajas y altas

Aplicaciones

• CC-CC los convertidores
• Conmutación de carga
• Síncrono del regulador buck

Transistor PDTC114YMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 10 k, R2 = 47 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. Complemento PNP: PDTA114YMB.

 

Características y beneficios

• 100 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles

Transistor PDTA143EMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 4,7 kW, R2 = 4,7 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. NPN complemento: PDTC143EMB.

 

Características y beneficios

• 100 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles

Transistor PDTC123JMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 2,2 kW, R2 = 47 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. PNP complemento: PDTA123JMB.

 

Características y beneficios

• 100 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles

Transistor PDTA114YMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 10 k, R2 = 47 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. NPN complemento: PDTC114YMB.

 

Características y beneficios

• 100 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles

Transistor PDTA123JMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 2,2 kW, R2 = 47 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. NPN complemento: PDTC123JMB.

 

Características y beneficios

• 100 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles