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27 de marzo de 2014

15W 28V DC-6 GHz GaN RF del transistor de energíaPart # T2G6001528-SG

DOC-B-00000914

T2G6001528-SG

Avance

Características principales
  • Rango de frecuencia: DC-6 GHz
  • P3dB: 17W a 3,3 GHz
  • PAE3dB: 72% típico
  • Ganancia lineal:> 15 dB a 3,3 GHz
  • Sesgo: Vd = 28V, Idq = 100mA, Vg =-3.2V típica
  • Dimensiones: 5,08 x 7,37 x 2,41 mm
Descripción

El TriQuint T2G6001528-SG es un (P3dB) GaN discreta 15W en SiC HEMT que opera desde DC a 6.0 GHz. El dispositivo está construido con proceso TQGaN25 probada de TriQuint, que cuenta con las técnicas de la placa de campo avanzadas para optimizar la potencia y la eficiencia en las condiciones de funcionamiento de alta polarización de drenaje. Esta optimización puede reducir potencialmente los costes del sistema en términos de un menor número de amplificadores alineaciones y menores costes de gestión térmica. sin plomo y RoHS. placas de evaluación están disponibles bajo petición.

Especificaciones

Frecuencia  (GHz)
CC a 6

Lineal Ganancia  (dB)
15.5

P1dB  (dBm)
42.3

Psat  (dBm)

NF  (dB)

PAE  (%)

Voltaje  (V)
28

Corriente  (mA)
100

Tipo de paquete

RoHS

Libre de plomo

Libre de halógenos

Documentos del Producto
Aplicaciones típicas
  • Radar Comercial
  • Sistemas de Comunicación
  • Radar Militar

TGA2612 6-12 GaN GHz LNA

TGA2612

Avance

Características principales
  • Rango de frecuencia: 6-12 GHz
  • NF: <1.8DB (1,5 dB en la banda central)
  • P1dB: 20dBm
  • Otoi: 29dBm
  • Ganancia de pequeña señal:> 22 dB
  • > 7 dB: Pérdida de retorno
  • Sesgo: Vd = 10 V, Idq = 100 mA, Vg = -2.3 V típica
  • Dimensiones: 2,1 x 1,5 x 0,10 mm
Descripción

TGA2612 de TriQuint es un amplificador de bajo ruido de banda ancha fabricados en la producción 0.25um GaN de TriQuint en proceso de SiC (TQGaN25). Cubriendo 6-12GHz, el TGA2612 normalmente proporciona P1dB de 20 dBm, mayor que 22 dB de ganancia de pequeña señal, figura de ruido 1,5 dB (a mediados de la banda) y 29dBm Otoi.Además del alto rendimiento eléctrico, este amplificador de GaN también proporciona un alto nivel de robustez de potencia de entrada. Capaz de sobrevivir hasta 2W de potencia de entrada sin degradación del rendimiento. TGA2612 de TriQuint ofrece flexibilidad en cuanto a recibir protección de la cadena que resulta en menores costos y espacio en la placa reducida.

Totalmente adaptado a 50 ohms con CC integrado bloqueando topes en ambos puertos de E / S, el TGA2612 es ideal tanto para los radares militares y comerciales y aplicaciones de comunicaciones.

Sin plomo y RoHS obediente.

Juntas de evaluación están disponibles bajo petición.

Especificaciones

Frecuencia  (GHz)
6 a 12

NF  (dB)
1.8

Ganancia  (dB)
22

Salida de IP3  (dBm)
29

P1dB  (dBm)
20

Voltaje  (V)
10

Corriente  (mA)
100

Tipo de paquete

RoHS

Libre de plomo

Libre de halógenos

Documentos del Producto
Aplicaciones típicas
  • Radar Comercial
  • Sistemas de Comunicación
  • Radar Militar

0.03 - 2.5 GHz 10W Amplificador de potencia de GaN

TGA2237

Avance

Características principales
  • Rango de frecuencia: 0,3 a 2,5 GHz
  • PSAT: 40dBm @ Pin = 27dBm
  • P1dB:> 32dBm
  • PAE:> 52%
  • Gran aumento de señal: 13dB
  • Ganancia de pequeña señal: 19dB
  • > 10dB: Pérdida de retorno
  • IM3 @ 120mA Pout <33dBm/tone:-30dBc
  • IM5 @ 120mA Pout <33dBm/tone:-30dBc
  • Sesgo: Vd = 30 V, Idq = 360 mA, Vg = -2.5 V típica
  • Potencia de banda ancha plana
  • Dimensiones: 2,4 x 1,8 x 0,10 mm
Descripción

TGA2237 de TriQuint es un amplificador de banda ancha distribuido fabricado sobre la producción 0.25um GaN de TriQuint en proceso de SiC. El TGA2237 opera desde 0,03 - 2,5 GHz y ofrece 10W de potencia de salida saturada con 13dB de gran ganancia de la señal y la eficiencia agregada de energía superior a 52%.

El rendimiento de banda ancha soporta tanto aplicaciones de radar y de comunicación a través de los mercados de defensa y comerciales, así como la guerra electrónica. El TGA2237 está totalmente adaptado a 50 ohmios en ambos puertos de RF que permiten la integración del sistema simple. DC bloques se requieren en ambos puertos de RF y la tensión de drenaje deben ser inyectados a través de un chip de sesgo-te en el puerto de salida de RF.

Sin plomo y RoHS obediente.

Juntas de evaluación están disponibles bajo petición.

Especificaciones

Frecuencia  (GHz)
0,03-2,5

Potencia  (dBm)
40

Ganancia  (dB)
19

NF  (dB)

PAE  (%)
> 52

Voltaje  (V)
30

IQ  (mA)
360

RoHS

Libre de plomo

Libre de halógenos

Documentos del Producto
Aplicaciones típicas
  • Radar Comercial
  • Sistemas de Comunicación
  • Guerra Electrónica
  • Radar Militar

0,1-3,0 GHz 12W Amplificador de potencia de GaN

TGA2216

Avance

Características principales
  • Rango de frecuencia: 0.1-3.0 GHz
  • PSAT: 41dBm @ Pin = 27dBm
  • P1dB:> 34dBm
  • PAE:> 40%
  • Gran aumento de señal: 14dB
  • Ganancia de pequeña señal: 22 dB
  • Pérdida de retorno: 10 dB (banda media)
  • IM3 @ 120mA Pout <33dBm/tone:-30dBc
  • IM5 @ 120mA Pout <33dBm/tone:-35dBc
  • Sesgo: Vd = 48 V, Idq = 360 mA, Vg1 = -2,3 V típico, Vg2 = 21,7 V típica
  • Banda Ancha la ganancia y el poder plana
  • Dimensiones: 1,8 x 1,8 x 0,10 mm
Descripción

TGA2216 de TriQuint es un amplificador cascodo banda ancha fabricados en la producción 0.25um GaN de TriQuint en proceso de SiC. La configuración cascodo ofrece un rendimiento de banda ancha excepcional, así como el funcionamiento de 48 V de soporte. El TGA2216 funciona a partir de 0,1 - 3,0 GHz y proporciona 12W de potencia de salida saturada con 14dB de gran ganancia de la señal y mayor que 40% efficieny añadido potencia.

El rendimiento de banda ancha soporta tanto aplicaciones de radar y de comunicación a través de los mercados de defensa y comerciales, así como la guerra electrónica. El TGA2216 está totalmente adaptado a 50 ohmios en ambos puertos de RF que permiten la integración del sistema simple. DC bloques se requieren en ambos puertos de RF y la tensión de drenaje deben ser inyectados a través de un chip de sesgo-te en el puerto de salida de RF.

Sin plomo y RoHS obediente.

Juntas de evaluación están disponibles bajo petición.

Especificaciones

Frecuencia  (GHz)
0,1 a 3,0

Potencia  (dBm)
41

Ganancia  (dB)
22

NF  (dB)

PAE  (%)
> 40

Voltaje  (V)
48

IQ  (mA)
360

RoHS

Libre de plomo

Libre de halógenos

Documentos del Producto
Aplicaciones típicas
  • Radar Comercial
  • Sistemas de Comunicación
  • Guerra Electrónica
  • Radar Militar

Nuevas tecnologías de comunicación de Luz, Li-Fi Breakthrough

 

PureLiFi, la compañía de tecnologías de la comunicación de luz, anuncia un nuevo avance en la Li-Fi con la noticia de que las tasas de datos de alta velocidad sin precedentes pueden ser transmitidas mediante ondas de luz de "off-the-shelf" las bombillas LED, en luminarias están atenuados a niveles que aparecen como apagados, o cuando no se requiere la iluminación como en las transmisiones de las unidades móviles a un punto de acceso (enlace ascendente). Esta investigación pionera duplica los niveles previos de velocidades de datos obtenidos y permite la transmisión de datos de alta eficiencia energética mediante LEDs.

 

Los hallazgos fueron realizados en la Universidad de centro de I + D Li-Fi, recientemente inaugurado de Edimburgo, la primera de su tipo en todo el mundo. pureLiFi, es una empresa spin-out de la Universidad de Edimburgo y su oficial científico jefe (CSO) y co-fundador, el profesor Harald Haas, establecido el centro y es también profesor de la universidad de las comunicaciones móviles.

La última innovación sigue la demostración con éxito por pureLiFi el primer producto en el mundo comercial Li-Fi, Li-primero, durante marzo en el MWC 2014 y CeBIT 2014. sistema inalámbrico Li-Fi de pureLiFi fue al mercado en enero de 2014 y sigue teniendo una gran demanda por parte de clientes de la industria en todo el mundo.

El profesor Harald Haas dijo: "A veces es deseable para atenuar las luces o apagarlas del todo, pero las preocupaciones de usabilidad han existido en torno a la capacidad de transmitir datos en estas condiciones. En el centro de Li-Fi en Edimburgo, hemos establecido que todavía podemos transmitir datos de forma inalámbrica a velocidades de datos cercanos al 100 por ciento cuando las luces se atenúan hasta niveles en que parecen estar apagadas por completo. Este es un avance enorme en el Li-Fi, desarrollada a través de un nuevo algoritmo radica, y es un indicador positivo para el desarrollo de la industria del Li-Fi en su conjunto ".

"Este último desarrollo fomenta el caso de Li-Fi revolucionando las comunicaciones inalámbricas, ayuda a mantener pureLiFi, a la vanguardia de la investigación y comercialización, y muestra que Li-Fi realmente podría ser el habilitador de la Internet de Todo".

El profesor Haas es un orador principal en BOLDtalks 2014 en Dubai el Sábado, 22 de marzo 2014, donde se dirigirá a los últimos avances en Li-Fi.

Acerca pureLiFi, Li-1 ª  y la industria del Li-Fi

1. pureLiFi (anteriormente conocido como pureVLC) es una compañía de tecnología de comunicaciones de luz formada en 2012 como una spin-out de la Universidad de Edimburgo para crear componentes OEM, incluidos los conductores de Li-Fi y receptores.

2. pureLiFi está a la vanguardia de la investigación y la comercialización en Li-Fi, una industria se espera que crezca de $ 100 millones a $ 6 mil millones en 2018. Comunicación de Luz Visible (VLC) es el uso de la luz para transmitir datos de forma inalámbrica. Li-Fi - un término acuñado por el director científico de pureLiFi y co-fundador, el profesor Haas - es una tecnología basada en VLC que proporciona capacidades de red completos similares a Wi-Fi, pero con un número significativamente mayor reutilización espacial de ancho de banda.

3. El Li-primero es primero de alta velocidad disponible en el mercado mundial, el sistema óptico inalámbrico bidireccional que funciona con una gama de luminarias LED disponibles en el mercado. Proporciona una unidad de techo IP habilitado y un dispositivo de escritorio que se puede conectar a través de USB a los dispositivos cliente.

Confiables y eficientes circuitos flexibles nanotubos de carbono

Los ingenieros de Stanford han desarrollado un procedimiento mejorado para la fabricación de circuitos flexibles que utilizan transistores de nanotubos de carbono, un desarrollo que allana el camino para una nueva generación de dispositivos electrónicos flexibles. (Bao Lab / Universidad de Stanford)

Ingenieros le encantaría crear dispositivos electrónicos flexibles, como los lectores electrónicos que podrían ser doblados para caber en un bolsillo. Un enfoque implica el diseño de circuitos basados ​​en fibras electrónicos, conocidos como nanotubos de carbono (CNT), en lugar de los chips de silicio rígidos.

Pero la fiabilidad es esencial. La mayoría de los chips de silicio se basan en un tipo de diseño de circuito que les permite funcionar sin problemas incluso cuando el dispositivo experimenta fluctuaciones de energía. Sin embargo, es mucho más difícil hacerlo con los circuitos de la CNT.

Pero ahora, un equipo de la Universidad de Stanford ha desarrollado un proceso para crear los chips flexibles que puedan tolerar las fluctuaciones de energía de la misma forma que los circuitos de silicio.

"Esta es la primera vez que alguien ha diseñado circuitos CNT flexibles que tienen tanto una alta inmunidad al ruido eléctrico y bajo consumo de energía", dijo Zhenan Bao, profesor de ingeniería química en Stanford.

El Bao Lab reportó sus hallazgos en las Actas de la Academia Nacional de Ciencias . Huiliang (Evan) Wang, un estudiante graduado en el laboratorio de Bao, y Peng Wei, un postdoc anterior en el laboratorio de Bao, fueron los autores principales del artículo. El equipo de Bao Yi Cui también incluyó, profesor asociado de ciencias de los materiales en Stanford, y Hye Ryoung Lee, un graduado estudiante en su laboratorio.

En principio, los nanotubos de carbono debe ser ideal para la fabricación de circuitos electrónicos flexibles. Estos filamentos de carbono ultra-delgadas tienen la fuerza física para tomar el desgaste de la flexión y la conductividad eléctrica para realizar cualquier tarea electrónica.

Pero hasta este reciente trabajo del equipo de Stanford, circuitos flexibles CNT no tenían la fiabilidad y potencia-eficiencia de los chips de silicio rígidos.

Aquí está la razón. Con el tiempo, los ingenieros han descubierto que la electricidad puede viajar a través de los semiconductores de dos maneras diferentes. Puede saltar de agujero positivo agujero positivo, o puede empujar a través de un montón de electrones negativos, como un collar de cuentas. El primero tipo de semiconductor se denomina de tipo P y la segunda un tipo N.

Lo más importante, los ingenieros descubrieron que los circuitos basados ​​en una combinación de tipo P y los transistores de tipo N realizar de forma fiable, incluso cuando se producen fluctuaciones de energía, y también consumen mucho menos energía. Este tipo de circuito con tanto de tipo P y tipo N transistores se llama un circuito complementario. 

Durante los últimos 50 años, los ingenieros han convertido en expertos en la creación de esta mezcla ideal de las vías de conducción por el cambio de la estructura atómica de silicio a través de la adición de pequeñas cantidades de sustancias útiles - un proceso llamado "dopaje" que es conceptualmente similar a lo que hicieron nuestros antepasados miles de años atrás, cuando se agitan estaño en cobre fundido para crear bronce.

El desafío que enfrenta el equipo de Stanford fue que los nanotubos de carbono son semiconductores de tipo P predominantemente y no había manera fácil de dopar estos filamentos de carbono para agregar características de tipo N.

El artículo de PNAS explica cómo los ingenieros de Stanford superaron este reto. Trataron a los CNT con un dopante química que desarrollaron conocidos como DMBI. Utilizaron una impresora de inyección de tinta para depositar esta sustancia en los lugares precisos en el circuito.

Esto marcó la primera vez que un circuito CNT programable se ha dopado para crear una mezcla PN que puede funcionar de forma fiable a pesar de las fluctuaciones de energía y con bajo consumo de energía.

El proceso de Stanford también tiene alguna aplicación potencial de los nanotubos de carbono rígidos. Aunque otros ingenieros han dopado previamente CNT rígidas para crear esta inmunidad al ruido eléctrico, el proceso de Stanford precisa y afinada supera a estos esfuerzos previos, lo que sugiere que podría ser útil para los circuitos de la CNT a la vez flexible y rígido.

Bao ha centrado su investigación sobre nanotubos de carbono flexibles, que compiten con otros materiales experimentales, tales como plásticos especialmente formulados, para convertirse en la base para la electrónica flexibles, al igual que el silicio ha sido la base para la electrónica rígidos.

Como material relativamente nuevo, los nanotubos de carbono están jugando para ponerse al día a los plásticos, que están más cerca de la utilización del mercado de masas para cosas tales como las pantallas de visualización flexibles. El proceso de dopaje Stanford mueve CNT flexibles más cerca hacia la comercialización, ya que muestra cómo crear la mezcla PN, y las mejoras resultantes en la fiabilidad y el consumo de energía, ya presente en los circuitos de plástico.

Aunque queda mucho por hacer para que los CNT comercial, Bao dijo que cree que estos filamentos de carbono son el futuro de la electrónica flexible, ya que son lo suficientemente fuertes como para doblar y estirar, al mismo tiempo ser capaz de ofrecer un rendimiento más rápido que los circuitos de plástico.

"CNT ofrecen los mejores atributos físicos y electrónicos a largo plazo", dijo Bao.

Tom Abate es el director asociado de comunicaciones de la Universidad de Stanford Engineering.

Para más expertos de Stanford en la ciencia de materiales y otros temas, visite  Stanford Expertos .

Optical Switch de 200 nanómetros nanoescala

Un nuevo interruptor óptico se puede encender y apagar miles de millones de veces por segundo - y es notablemente pequeño.

El dispositivo consta de conmutadores individuales que son sólo uno de cinco centésima parte del grosor de un cabello humano (200 nanómetros) de diámetro. Este tamaño es mucho menor que la actual generación de conmutadores ópticos y se rompe fácilmente uno de los principales obstáculos técnicos a la propagación de los dispositivos electrónicos que detectan y control de la luz: La miniaturización del tamaño de conmutadores ópticos ultrarrápidos.

El interruptor ultrarrápido está hecha de un material artificial diseñado para tener propiedades que no se encuentran en la naturaleza. En este caso, el "metamaterial" se compone de partículas a nanoescala de dióxido de vanadio (VO2) - un sólido cristalino que puede cambiar rápidamente de ida y vuelta entre una fase opaca, metalizada, y una fase transparente, semiconductores - que se depositan en un sustrato de vidrio y recubierto con una "nanomalla" de pequeñas nanopartículas de oro.

Los científicos informan en la revista Nano Letters que baña estas nanopartículas doradas con breves pulsos de un láser ultrarrápido genera electrones calientes en el nanomesh oro que saltar en el dióxido de vanadio y hacen que se someten a su cambio de fase en una billonésima de segundo.

"Nos habíamos desencadenado previamente esta transición en nanopartículas de dióxido de vanadio directamente con láseres y queríamos ver si podíamos hacerlo con electrones también", dice Richard Haglund, un profesor de física en la Universidad de Vanderbilt, quien dirigió el estudio. "No sólo funciona, pero la inyección de electrones calientes de las nanopartículas de oro también desencadena la transformación con una quinta a una décima parte de entrada de energía requerida por el resplandor del láser directamente sobre el desnudo VO2."

Tanto la industria como el gobierno están invirtiendo fuertemente en los esfuerzos por integrar la óptica y la electrónica, ya que se considera generalmente que es el siguiente paso en la evolución de las tecnologías de información y comunicaciones.

Intel, Hewlett-Packard e IBM han estado construyendo los chips con el aumento de la funcionalidad óptica para los últimos cinco años que operan a velocidades de gigahertz, una milésima parte del interruptor de VO2.

"Detectores de dióxido de vanadio tienen una serie de características que los hacen ideales para aplicaciones en optoelectrónica", dice Haglund.Además de su alta velocidad y su pequeño tamaño, que:

  • Es totalmente compatible con la tecnología actual de circuitos integrados, ambos chips basados ​​en silicio y los nuevos materiales de "alta-K dieléctricas" que la industria de semiconductores está desarrollando para continuar con el proceso de miniaturización que ha sido un aspecto importante del desarrollo de la tecnología de la microelectrónica.
  • Operar en la región visible y del infrarrojo cercano del espectro que es óptima para aplicaciones de telecomunicaciones.
  • Generar una cantidad de calor por operación que es lo suficientemente bajo como para que los interruptores pueden ser embalados con fuerza suficiente para hacer que los dispositivos prácticos: unos diez billonésima de calorías (100 femtojoules) por poco.

"Sorprendentes propiedades del dióxido de vanadio se conocen desde hace más de medio siglo. . . . Es sólo en los últimos años que los estudios computacionales intensivas han iluminado la física que subyace en su transición-semiconductor-metal ", dice Haglund.

Científicos de la Universidad de Alabama-Birmingham y el Laboratorio Nacional de Los Alamos trabajaron en el proyecto. Las subvenciones de la Agencia de Reducción de Amenazas-Defensa, el Departamento de Energía, Departamento de Educación de EE.UU., y la Fundación Nacional de Ciencias de EE.UU. ayudaron a apoyar la investigación.

25 de marzo de 2014

DC-DC de 2 W Convertidores

Convertidores DC-DC de 2 W

Murata Power Solutions ha empezado a comercializar la serie MTU2 de convertidores DC-DC de 2 W de montaje en superficie con un diseño miniaturizado de 8.2 x 8.4 x 8.5 mm y un footprint de 0.69 cm², que es un 50 por ciento menor que el estándar de la industria de 1.67 cm². Así, según la compañía, esta gama se convierte en la más diminuta del mercado.

Con una eficiencia de conversión típica de 85 por ciento con carga completa y una densidad de potencia de 3.403 W / cm³, la serie MTU2 de convertidores DC-DC de 2 W de Murata Power Solutions se encuentra disponible con tensión de salida sencilla o dual. Las tensiones de entrada cubren las entradas nominales de 3.3 a 24 VDC. Las opciones de voltaje de salida incluyen 5, 12 o 24 VDC. Los modelos de salida dual ofrecen ±5 o ±12 VDC.

La regulación de carga es un 5 por ciento mejor a la de otros productos similares, reduciendo la necesidad de componentes adicionales.

Características de los convertidores DC-DC de 2 W

Las unidades MTU2 tienen aislamiento galvánico de entrada / salida de 1 kVDC que ayuda a disminuir el ruido de conmutación y se pueden configurar para proporcionar un carril negativo aislado en sistemas donde sólo existen carriles positivos.

Ann-Marie Bayliss, product marketing manager, comenta que “MTU2 establece un nuevo estándar de footprint para convertidores DC-DC de 2 W. A pesar de ser un 50 por ciento menor que los modelos actuales, mantiene la compatibilidad en pines con nuestra serie de montaje superficial MTU1 de 1 W”.

Los convertidores mtu2 pueden operar en el rango de temperatura de -40 a +85 °C.

Facilitando el diseño de Fuente de alimentación con standby cero

Fuente de alimentación con standby cero

Power Integrations,  diseño de referencia para una fuente de alimentación con standby cero, auxiliar de 8 W de entrada universal que alcanza un consumo de energía en standby de cero para aplicaciones en electrodomésticos.

En base a un elemento de la familia LinkZero-LP de Power Integrations, el DER-417 presenta una fuente de alimentación con standby cero y con un retorno de entrada universal, 5 V, 1600 mA que consume menos de 4 mW a 230 VCA y ofrece 1 mW de potencia en modo standby.

Productos tales como televisores, electrodomésticos, sistemas de seguridad y de control y equipos HVAC usan la alimentación mientras esperan a que se usen o mientras controlan las entradas de los sensores previas a la ejecución de sus funciones.

Esto desperdicia cantidades de energía a la vez que produce un coste medioambiental y económico para los hogares y las empresas; de hecho, el Laboratorio Nacional Lawrence Berkeley ha estimado que las cantidades de energía de standby para el 5-10% de consumo de electricidad residencial en los países desarrollados, es responsable de aproximadamente 400 millones de toneladas de emisiones de CO2 cada año.

Power Integrations ha querido remarcar que se están acercando a lo último en rendimiento de energía de standby cero. Al aprovechar los últimos avances en sensores de baja potencia y los procesadores impulsados por el mercado de telefonía móvil, 1 mW de energía de standby es más que suficiente para operar funciones como un reloj digital, el control del medio ambiente, la recepción de la señal inalámbrica y la activación de infrarrojos.

Circuitos Integrados Amplificador de potencia de 2 W

Amplificador de potencia de 2 W

Freescale Semiconductor ha introducido el primer amplificador de potencia de 2 W integrado con una alimentación de 5 V que puede desarrollar una ganancia de más de 40 dB para cubrir todas las bandas de frecuencia entre 1500 y 2700 MHz. El nuevo modelo soporta cualquier estándar móvil que opera en este rango, como GSM, 3G, 4G y LTE.

El amplificador de potencia de 2 W MMZ253333B es ideal en driver y pre-driver en estaciones base de macro-celda y aplicaciones de “fase final” en pequeñas celdas.

El elevado rendimiento y la integración del amplificador de potencia de 2 W ayudan a los clientes a reducir el número de componentes y optimizar el coste. Y, como el nuevo dispositivo se puede usar con múltiples plataformas y bandas de frecuencia, se puede “reutilizar” de proyecto en proyecto para simplificar el inventario.

El MMZ25333B es un amplificador de potencia de 2 W multifase basado en tecnología InGaP GaAs HBT y se suministra en un encapsulado QFN de 4 mm estándar

Lo nuevo en Transistores miniaturizados

Encapsulado VML0604

El encapsulado VML0604 (0.6 x 0.4 mm – t=0.36 mm) tiene un tamaño un 50 por ciento menor al de modelos convencionales, convirtiéndose en la solución ideal para Smartphones, prendas wearable y dispositivos que demandan un formato delgado.

ROHM ha minimizado el tamaño de encapsulado la resistencia (ON resistance) al mismo tiempo que aumenta la resistencia de tensión hasta un 60 por ciento. Todo esto se traduce en mejoras de rendimiento y capacidad de aplicación.

Propiedades de los transistores miniaturizados

La reducción del encapsulado tiene sus límites, ya que de igual modo que se miniaturiza el tamaño, se incrementa la resistencia, dificultando el mantener el rendimiento de un transistor convencional. ROHM ha adoptado un nuevo proceso que ha posibilitado el desarrollo de un dispositivo ultra compacto con un withstand voltage de 30 V junto con ON resistance de 0.25 Ω (VGS=4.5 V).

Por estas razones, el encapsulado VML0604 en estos transistores miniaturizados contribuye a la creación de productos con tensiones breakdown en el rango de 40 a 60 V (con baja resistencia).

Módulos de fuente de alimentación PSiP (Fuente de Alimentación en Paquete) para regulador de CC-CC con inductor integrado

nn31000A

 

Panasonic Corporation y sus nuevos módulos de fuente de alimentación PSiP (Fuente de Alimentación en Paquete) para regulador de CC-CC  con inductor integrado.

Estos nuevos módulos de fuente de alimentación PSiP están optimizados para su uso en las unidades de fuentes de alimentación de los equipos de infraestructuras de comunicaciones y dispositivos industriales. Los módulos de la serie PSiP ayudarán a facilitar el diseño de la fuente de alimentación para los productos que requieren de un tamaño reducido, tales como las pequeñas estaciones base celulares, los servidores, las cámaras de vigilancia y los equipos de medición.

Los nuevos módulos de fuente de alimentación PSiP de las fuentes de alimentación ofrecen también un mejor rendimiento en términos de baja generación de calor y de un bajo perfil de nivel de ruido.

Estos módulos eliminan también la necesidad de diseñar un sistema de fuente de alimentación independiente y reducen la carga de considerar las incorporaciones del calor y del ruido en el diseño de la placa de circuitos, lo que hace que el tiempo total de diseño sea significativamente más corto.

Los módulos de fuente de alimentación PSiP, NN31000A, NN31001A y NN31002A, son adecuados para su uso en equipo infraestructuras de comunicaciones, tales como las estaciones base de radio, transceptores de luz, routers, switches y servidores, y aplicaciones industriales, así como otras aplicaciones, como cámaras de seguridad y aparatos de medición.

Características de los módulos de fuente de alimentación PSiP

24 de marzo de 2014

Lo nuevo Condensadores de polímero de aluminio con baja ESR



Los condensadores de la serie AVG tiene una temperatura más alta (de hasta 125 °C), de hasta 160 VCC (voltios de trabajo de corriente continua) y está disponible con mayores valores de CV (Capacidad x Tensión). Estos condensadores son altamente estables con la temperatura y tienen un excelente rendimiento de alta frecuencia. Ambas características son importantes en los circuitos de alimentación de alta eficiencia.
Debido a su dieléctrico de polímero sólido y diseño especializado, estos condensadores ofrecen una muy baja ESR y una alta capacidad de corriente de rizado. Como resultado, un condensador AVG puede tomar el lugar de varios condensadores electrolíticos de aluminio convencionales. La reducción en el número de componentes y un pequeño tamaño del dispositivo es una forma efectiva de que los diseñadores reduzcan el espacio de la PCB.
Aplicaciones de los condensadores de polímero de aluminio
Los condensadores de la serie AVG pueden utilizarse en lugar de los condensadores electrolíticos de aluminio y plomo radiales convencionales y son especialmente adecuados para las aplicaciones más exigentes. Entre éstas se incluyen los circuitos de potencia de conmutación de alta frecuencia, la iluminación LED de calidad comercial, las telecomunicaciones, las tarjetas gráficas de alto rendimiento y la automatización.
El rango de los valores de capacidad disponibles va desde 4,7 mF a 1.500 mF, de hasta 160 VCC. El rango de temperatura de funcionamiento es excepcionalmente amplio, de -55 °C a +125 °C y la duración de la carga es de hasta 2.000 horas.



22 de marzo de 2014

Los transmisores y antenas

Transmisor WRL-10524

Si ha creado su propio equipo de radio aficionado "en el día", como se recordará la frustración de ponerlo junto con los componentes que eran básicas en el mejor.

Pero a medida que el columnista George Novacek señala en la segunda entrega de su serie de examinar los enlaces de datos inalámbricos: "Hoy en día se puede comprar excelente engranaje de baja potencia, un precio razonable para la comunicación de datos fuera de la plataforma."

En una sección, Novacek amplía los cinco módulos transmisor de datos  básicos-de un codificador de datos, un modulador, un generador de frecuencia de la portadora, un amplificador de salida de RF y una antena:

Transmisores de datos de baja potencia a menudo integran el modulador, el generador de frecuencia de la portadora, y el amplificador en un solo circuito. Un solo transistor puede para hacer el trabajo. Voy a hablar de antenas más tarde. Cuando un emisor y un receptor se combinan en una sola unidad, se llama un transceptor.

Puede no ser necesario la Modulación en algunas aplicaciones simples cuando se detecta la mera presencia de un vehículo para iniciar una acción. Un simple botón será suficiente, pero esto se utiliza raramente puesto que está sujeta a falsos disparos por otros transmisores que trabajan en el área de la misma banda de frecuencia.

Codificador y decodificador ICs digitales están disponibles para dispositivos sencillos (por ejemplo, puertas de garaje) o de entrada sin llave, donde sólo se requiere una salida o desactivar desde el receptor. Estos circuitos integrados generan un paquete de datos para la transmisión. Si el paquete recibido coincide con los datos almacenados en el decodificador, se inicia una acción. Ejemplos típicos incluyen codificadores HT12E Holtek Semiconductor y decodificadores HT12D y Freescale Semiconductor MC145026, MC145027, MC145028 y pares de sensores y decodificador. Para la comunicación de datos se utilizó un esquema similar, pero más avanzado. Voy a abordar esto cuando discuto receptores (que vienen en la parte 3 de esta serie).

La columna de Novacek pasa a explicar los tipos de modulación, incluyendo OOK y modulación ASK:

Modulación OOK se logra alimentando los datos en línea con un flujo de datos de 0 a + V nivel.Modulación ASK se puede lograr por los datos variando la polarización del transistor para hacer pivotar la salida de RF entre 100% y típicamente 30% a 50% de la amplitud. Yo prefiero añadir un modulador separado.

La ventaja de ASK en oposición a la modulación OOK es que el portador está siempre presente, por tanto, el receptor no se requiere para sincronizar repetidamente a ella. Especificaciones diferentes fabricantes afirman velocidades de datos considerablemente mayor alcanzables con ASK en lugar de OOK.

Por ejemplo, Foto 1 muestra una SparkFun Electrónica WRL-10534 transmisor y un receptor WRL-10532 fijado para 433,9 MHz (un conjunto de 315 MHz también está disponible), que cuesta menos de $ 10. Es un diseño muy básicos, pero funciona bien. Cuando se genera el apoyo a los circuitos a su alrededor se puede obtener excelentes resultados. El conjunto es un buen punto de partida para la experimentación.

El artículo también incluye consejos sobre un transceptor que usted puede comprar para ahorrar tiempo en el desarrollo de los circuitos auxiliares (XBee), al tiempo que observa una variedad de transmisor-receptor, el receptor y los módulos de transmisión están disponibles de fabricantes como Maxim Integrated, Micrel y RF Monolithics (RFM ). Además, el artículo describe el diseño y la optimización de las tres formas de antenas: un conductor recto (monopolo), una bobina (helicoidal), y un bucle.

"Estos pueden ser externas, internas, o incluso grabado en el PCB (por ejemplo, mandos de entrada sin llave) para reducir al mínimo el tamaño", dice Novacek.

Antenas de Eje Z de alta sensibilidad y bajo perfil para NFC

Antena ZC1003HF

La nueva serie ZC1003HF diseñada para NFC, es una solución compacta y de bajo perfil (altura inferior a 3,2mm), para su utilización en smartphones de altura reducida. La serie ZC1003HF ofrece un alto rendimiento en presencia de planos de tierra o baterías.

PREMO presenta esta bobina SMD de eje Z especialmente desarrollada para recepción/transmisión de señal a 13,56MHz. La serie ZC1003HF es una solución compacta (10x10x3.1mm) y de alta sensibilidad diseñada especialmente para aquellas aplicaciones NFC donde el tamaño de los componentes es un factor crítico. La nueva antena desarrollada por PREMO, requiere la utilización de menor espacio de PCB comparada con antenas de circuito impreso e incrementa un 30% la distancia de lectura. Adicionalmente, la nueva bobina de eje z ofrece un excepcional rendimiento eléctrico y robustez mecánica, proporcionando una excelente fiabilidad, al haber sido diseñada y validada bajo los estándares de automoción.

La serie ZC1003HF ofrece un valor de inductancia de 2,5µH/13, 56MHz y puede ser diseñada a medida según las especificaciones del cliente.

La antena está formada por un núcleo de ferrita de NiZn de altas prestaciones (>106 Ohm·m) y baja permeabilidad inicial para trabajar en alta frecuencia. Proporciona un funcionamiento muy estable en un amplio rango de temperatura (-40ºC hasta 100ºC). Además, la serie ZC1003HF ofrece alto rendimiento en presencia de planos de tierra o baterías.

Esta antena ZC1003HF puede ser utilizada en aplicaciones RFID con interfaces ISO15693 (cercanía:I-CODE), ISO 14443A&B (proximidad: MIFARE) interfaz, ISO18092, y Felica.

El producto ha sido diseñado para funcionar con los chipset de NXP: MF-RC500, MF-RC530, MF-RC531, PN511, PN512, PN531, PN532, PN533, PN544, PN547; AMS: AS3953; ST: M24LR16E-R,  MELEXIS: MLX90121, Texas Instrument: TRF7960, TRF7970A.

Reduciendo el consumo al mínimo: nuevo kit EFM32 Zero Gecko de Silicon Labs

kit efm32

RS ya tiene disponible el kit de iniciación EFM32 Zero Gecko de Silicon Labs, herramienta que permite a los ingenieros familiarizarse con los microcontroladores de 32 bits EFM32 Zero Gecko, los MCUs de menor consumo de energía del mercado basados en el procesador ARM Cortex-M0+.

El kit de iniciación EFM32ZG-STK3200 contiene sensores y periféricos para demostrar algunas de las capacidades de los microcontroladores y puede servir como punto de partida para el desarrollo de aplicaciones. Incluye un depurador SEGGER J-Link y un avanzado sistema de control de energía que permite a los ingenieros programar, depurar y realizar en tiempo real el perfil actual de una aplicación sin necesidad de utilizar herramientas externas.

Otras características propias de este kit son:

  • Condensador backup para modo RTC
  • Interface USB para host/device/OTG
  • LESENSE (Low Energy Sensor Interface) para pruebas
  • Sensores de luz, LC (inductivo) y táctiles
  • Versiones de compilador de evaluación gratuitas

Este kit es compatible con el paquete software Simplicity Studio, un completo entorno de interfaz gráfica de usuario para las principales plataformas informáticas como Windows, Linux y Mac/OS X. Disponible con el kit gratuitamente, Simplicity Studio, proporciona a los desarrolladores con tan solo un clic, acceso a toda la información, documentación, herramientas energyAware, software y librerías de código fuente necesarias para desarrollar rápidamente aplicaciones sensibles a la energía.

20 de marzo de 2014

La soldadura en la electrónica. Nuevos materiales. El refinamiento del grano para mejorar la sin plomo de soldadura conjunta Confiabilidad

image

La mayor parte de las diferencias significativas entre las soldaduras de uso común sin plomo, las basadas en adiciones de cobre y / o plata al estaño, y el eutéctico soldadura de estaño y plomo que están reemplazando puede estar relacionado con la microestructura. La microestructura de la mezcla eutéctica de estaño-plomo se compone de capas intercaladas de una fase metálica de estaño rica en plomo y una fase metálica en estaño y plomo-rica, mientras que la de las soldaduras libres de plomo es esencialmente una matriz de estaño puro en el que se dispersan partículas de uno o ambos de los compuestos intermetálicos de Cu 6 Sn 5 y Ag 3 Sn.

Mientras que los diagramas de fase de equilibrio para las soldaduras libres de plomo con 3 a 4% de plata y de 0,5 a 1% de cobre predicen una microestructura dominado por eutécticos con una dispersión fina de los compuestos intermetálicos, las condiciones durante la solidificación en los procesos de soldadura de producción son por lo general muy lejos de equilibrio termodinámico. La situación se complica aún más por las interacciones con sustratos con gran parte de la Cu 6 Sn 5 terminando en la interfaz. La consecuencia es que la microestructura es predominantemente de estaño con una dispersión de compuestos intermetálicos que a menudo tienen una morfología más típica de una fase primaria que la formada por el crecimiento, junto de un eutéctico.

Otro factor con implicaciones para la confiabilidad de la unión es que normalmente hay muy pocos granos individuales de estaño en una unión de soldadura. En las pequeñas articulaciones de los paquetes de matriz área que representan una proporción creciente de las conexiones en conjuntos electrónicos modernos normalmente hay sólo dos o tres granos ya veces único. Las consecuencias de fiabilidad de tener tan pocos granos son particularmente graves en estaño debido a la extrema anisotropía de sus propiedades físicas. Dado que la anisotropía del tiempo hasta el fracaso de una empresa particular, en virtud de las condiciones a las que está expuesto cuando se somete a ciclos térmicos pueden ser muy dependiente de la orientación de los pocos granos ..

image

Mientras que los límites de grano pueden ellos mismos contribuir a la insuficiencia, la reducción de la anisotropía de una unión de soldadura al aumentar el número de granos orientados al azar sería una ventaja y la observación se ha hecho que las articulaciones con un tamaño más fino de grano eficaz durar más tiempo en el ciclo térmico de esperaba lo contrario.

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. Dada la continua necesidad de aumentar la seguridad de las soldaduras de una avenida que merece exploración está reduciendo el tamaño de los granos de la matriz de estaño Leer el artículo completo aquí . Nota del Editor: Este artículo apareció originalmente en la edición de enero 2014 de S M T Magazine.

4 de marzo de 2014

MAX24101 15Gbps octal Lineal Ecualizador Ahorra espacio y energía Mientras Extendiendo el alcance de Canales hasta 15Gbps

El MAX24101 restaura el nivel de señal de alta frecuencia en la toma de retroalimentación ecualizador (DFE) Receptor de backplane y canales por cable de alta de la pérdida. Esto permite que el receptor DFE para cumplir los objetivos de BER. En 15Gbps, el MAX24101 puede funcionar en canales con FR4 y cable pérdida de HF más de 30 dB a 7.5 GHz. La función de transferencia lineal es transparente para los ecualizadores DFE adaptativa, permitiendo la adaptación DFE para rastrear la temperatura y las condiciones del canal cambiante.

Junto con el DFE, integrado en Serializer / Deserializer (SERDES), el dispositivo agrega mayor margen en lugar de la regeneración de la señal completa. A diferencia de los ecualizadores convencionales con la limitación de etapas de salida, el dispositivo conserva las características del canal lineales, lo que permite el DFE para operar linealmente sobre toda la canal. Esto permite extender el alcance total del canal y / o mejorar la relación señal-ruido (SNR). El dispositivo normalmente compensa hasta 19 dB de pérdida total en un canal largo, la reducción efectiva de la longitud del canal visto por el receptor DFE.

El dispositivo cuenta con 8 canales y se envasa en un ahorro de espacio, de 4 mm x 13 mm, paquete FCLGA.

Hoja de datos

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NDA Requerido

Características principales

  • 1Gbps a 15Gbps Lineal EQ
  • Aumenta la alta frecuencia de señal Nivel para ayudar Rx DFE Lograr BER Objetivos
  • Una energía más baja, menor costo y más pequeñas Soluciones Junta Huella Que CDR
  • Transparente-to-Link Formación, OOB Y Inactivo
  • Plug and Play-Set Pines de control (todos los canales Establezca el mismo) o de control independiente de cada canal a través de I 2 C Bus
  • I 2 C cadenita para abordar Hasta 63 ICs
  • Seleccionable EQ Peaking Spanning 6 dB a 19 dB a 7.5 GHz
  • Seleccionable Flat ganancia Spanning-2.9dB a 1.7 dB
  • Salida seleccionable lineal swing Spanning 700mV PP a 1000mV PP
  • Bajo Ruido de entrada-Referido <1 mV RMS
  • Data-Rate y Codificación Agnóstico
  • Pérdida de retorno de entrada mejor que 16dB típico hasta 7.5 GHz
  • Modo de apagado para ahorrar energía cuando no en uso
  • 4mm x 13mm FCLGA Paquete
  • Soltero 2.5V Supply
  • 131MW por canal Potencia de pérdidas con una 700 mV PPde salida

Aplicaciones / Usos

  • 12.5Gbps Quad XAUI Interconnect
  • 12Gbps SAS III
  • 14Gbps 16G Fiber Channel
  • 1Gbps a 15Gbps de alta velocidad Backplanes y Cables

Especificaciones clave:

Equalizer (por cable y la tarjeta de circuitos)
Número de pieza Aplicaciones Data Rate 
(Mbps)
Data Rate 
(Mbps)
VSUMINISTRO
(V)
E / S Type Canales Oper. Temperatura. 
(° C)
min max
MAX24101 NUEVO!
Cable de interconexión de cobre
Ethernet
FR4 y Cable de Nivelación
Fibre Channel
Preemphasis y recepción de Nivelación
Interconexión de placa de circuito impreso
XAUI
1000 15000 2.5
CML
LVCMOS
8 -40 A +85

http://www.maximintegrated.com/datasheet/index.mvp/id/8272

DS1088E -Frecuencia Fija EconOscillator ™ 133MHz Square-Wave Generador

DS1088E: Típico Circuito de funcionamiento

El DS1088E es un generador de reloj de bajo costo que produce una salida de onda cuadrada sin componentes de temporización externos. El oscilador de frecuencia fija está disponible en una frecuencia de calibrado en fábrica de 133MHz. El dispositivo tiene un pin de apagado para aplicaciones sensibles al poder.

Hoja de datos

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Características principales

  • Fábrica-programada, 133MHz Square-Wave Generador
  • Salida Única
  • No hay componentes de tiempo externos requeridos
  • 2.85V a 3.6V Supply
  • Modo Power-Up
  • Amplio rango de temperatura (-40 ° C a +95 ° C)

Aplicaciones / Usos

  • Automotrices Telemática
  • Módems de cable
  • Periféricos Informáticos
  • Copiadoras
  • Módulos ópticos
  • Terminales de punto de venta
  • Impresoras

MAX98357DEV # WLP, MAX98357EVSYS # WLP Sistema de Evaluación para la MAX98357A y MAX98357B (WLP)

La tarjeta de desarrollo MAX98357 (tablero DEV) es un PCB completamente ensamblado y probado que evalúa la MAX98357 I 2 S amplificador de potencia digital de Clase D de entrada. La junta DEV opera desde una única fuente de alimentación de 2.5V a 5.5V DC y es capaz de entregar 3.2W en una carga de 4Ω. Las salidas del equipo se pueden conectar directamente a una carga de altavoces para aplicaciones sin filtro. Sin embargo, un filtro puede ser añadido para facilitar la evaluación. El MAX98357A acepta I estándar 2 los datos S y el MAX98357B acepta datos de audio digital alineado a la izquierda. Ambas versiones también son compatibles con los datos de audio de 8 canales TDM.

El sistema de evaluación MAX98357 (sistema EV) incluye la tarjeta MAX98357 DEV y tarjeta de interfaz de audio de Maxim Integrated (tablero AUDINT001).

La junta AUDINT001 proporciona una herramienta fácil de usar USB audio-to-I 2 conversor S. Esto permite que para cualquier ordenador se convierta en una fuente de audio digital, que se puede utilizar para evaluar los dispositivos.La junta AUDINT001 también se puede utilizar para alimentar la MAX98357. Esto permite una evaluación completa de una sola conexión USB.

Hoja de datos

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Características principales

  • 2.5V a 5.5V Solo-Provea Operación
  • Sólo un componente externo individual (VDD Capacitor) solicitadas en muchas aplicaciones
  • I 2 S, Justificado-Izquierda, o TDM de entrada
  • Cinco ganancias seleccionables (3dB, 6, 9, 12dB, 15dB) y
  • Channel Audio Seleccionar (izquierda, derecha, y Mono Mix)
  • Funcionamiento sin filtro
  • Filtros de Clase D de salida opcionales para Facilidad de Evaluación
  • Diseño de PCB probada
  • Totalmente montada y probada

Aplicaciones / Usos

  • Teléfonos celulares
  • Notebook y Netbook
  • Tablets

MAX14626EVKIT Kit de evaluación para el MAX14626

El kit de evaluación MAX14626 (kit EV) es una placa de circuito totalmente montada y probada que demuestra el protector de circuito actual MAX14626 alto voltaje 4-20mA.

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Introducción a SHA-256 Autenticación Maestro / Esclavo

Resumen: Un nuevo grupo de autenticadores seguras y un compañero asegurar coprocessor/1-Wire ® master implementar la autenticación SHA-256. Esta nota de aplicación explica la logística general de este sistema de seguridad basado en SHA-256 e introduce la funcionalidad de autenticación bidireccional que utiliza el sistema de autenticación.

Una versión similar de este artículo apareció en EE Times , 19 de junio de 2013.

Introducción

Durante más de 10 años, autenticación SHA-1 se ha utilizado para proteger eficazmente la propiedad intelectual de la falsificación y la copia ilegal. Como la tecnología informática avanza, los clientes están pidiendo un mayor nivel de seguridad.

Hoy un nuevo grupo de autenticadores seguras y un coprocesador seguro compañero implementar autenticación SHA-256.Este nuevo sistema proporciona seguridad física avanzada para ofrecer una protección insuperable IP de bajo costo, la prevención de la copia, y la autenticación periférica. En este artículo se explica la logística general del sistema de seguridad basado en SHA-256 e introduce la funcionalidad de autenticación bidireccional que utiliza el sistema de autenticación.

Un sistema de autenticación segura

La implementación de un sistema de autenticación segura requiere la vinculación de un sistema central con un módulo de sensor / periférico. El sistema que se presenta en la Figura 1 consiste en un 1-Wire ® SHA-256 autenticador seguro, más un coprocesador SHA-256 con maestro 1-Wire función. Operando entre el host y periféricos sobre un solo pin de la interfaz reduce la complejidad de la interconexión, simplifica los diseños, y reduce el costo 1-Wire. 1

Aplicación Secure sistema de autenticación.  Este sistema cuenta con el DS2465 SHA-256 coprocesador y el autenticador DS28E25 SHA-256.
Figura 1. Aplicación Secure sistema de autenticación. Este sistema cuenta con el DS2465 SHA-256 y el coprocesadorDS28E25 autenticador SHA-256.

SHA-256 Authenticators

Los SHA-256 autentificadores seguras en este sistema de apoyo a un tamaño desafío de 256 bits y utilizan una de 256 bits secreto. El autenticador seguro en la figura 1 es un esclavo 1-Wire con un ID de ROM de 64 bits exclusivo que sirve como un elemento de datos fundamental para los cálculos de autenticación. El diseñador del sistema puede crear particiones de usuario del autenticador EEPROM en áreas con acceso abierto (sin protección) y en zonas en las que el maestro debe autenticarse para acceso de escritura. Tabla 1 se muestran los modos de protección disponibles y combinaciones de protección válida.


 

Tabla 1. Opciones SHA-256 Protección autenticador 1-Wire *
Código de Protección Descripción
RP Leer Protección. Si está activado, los datos sólo es accesible para el uso interno del dispositivo, por ejemplo, como un secreto.
WP Protección contra escritura. Si está activado, los datos no se pueden cambiar.
EM Modo de emulación EPROM. Si está activado, los bits individuales sólo se pueden cambiar de 1 a 0.
AP Protección de autenticación. Si se activa, el acceso de escritura a la memoria requiere autenticación maestro.

* El sistema por defecto es ninguna protección con RP, WP, EM, y AP no activadas. La protección es acumulativo.

Coprocesador SHA-256 con 1-Wire Maestro

El coprocesador SHA-256 en la Figura 1 es un esclavo I ² C controlado por un procesador anfitrión. Desde el puerto del anfitrión I ² C. coprocesador SHA-256 aparece como una memoria de lectura / escritura de 256 bytes con ciertas regiones (elementos de datos) asignados para fines especiales.

Logística Seguridad

La seguridad basada en SHA se basa en los códigos de autenticación de mensajes (MAC) calculados a partir de los datos abiertos y un secreto. Para verificar la autenticidad, a ambos lados, es decir, el anfitrión o coprocesador y el autenticador 1-Wire, deben conocer el secreto, que no será jamás descubierto. Además, para mayor seguridad el secreto en cada autenticador 1-Wire debe ser único. De esta manera la seguridad de todo el sistema no se ve afectada si el secreto de una sola autenticador está siempre comprometida.

A primera vista, puede parecer imposible de cumplir estos requisitos. Hay, sin embargo, una solución simple: calcular el secreto de conocidos "ingredientes" e instalarla en el dispositivo en un entorno de fabricación grande / controlada. Los ingredientes para un secreto autenticador son un secreto principal, los datos de unión, un secreto parcial, ID ROM del autenticador, y el relleno / formato ("otros datos"). Figura 2 ilustra el proceso. Aunque los ingredientes están expuestos en un punto en el tiempo, por ejemplo, en un entorno de fabricación de confianza, el secreto calculado es nunca expuesto y siempre permanece oculto.

Creación de un secreto autenticador único.
Figura 2. Creación de un secreto autenticador único.

Por razones de espacio de almacenamiento y seguridad, los secretos más exclusivos de todos los autenticadores en un sistema que no se pueden almacenar en el coprocesador o anfitrión. En cambio, las tiendas coprocesador sólo el secreto principal y el enlace de datos en una sección de memoria protegida. El secreto parcial es una constante del sistema que puede ser codificado en el firmware del procesador principal y se comunica abiertamente. Después de haber leído Identificación ROM de un autenticador, el coprocesador puede calcular secreto único del autenticador, como se muestra en la Figura 2. Con tanto autenticador y coprocesador ahora compartir el secreto autenticador único, el sistema está listo para funcionar.

Autenticación por desafío y respuesta

El propósito principal de un autenticador es la prueba de que el objeto al que está unido es genuina. Autenticación basada en clave simétrica utiliza una clave secreta y los datos a ser autenticadas ("mensaje") como entrada para calcular un MAC.El anfitrión realiza el mismo cálculo usando el secreto esperado y el mismo mensaje de datos; se compara entonces su versión de la MAC a la información recibida desde el autenticador. Si ambos resultados MAC son idénticos, el autenticador es parte del sistema.

En este sistema de autenticación SHA-256, el mensaje es una combinación de desafío anfitrión y elementos de datos almacenados en el autenticador. Es crucial que el reto se basa en datos aleatorios. Un reto que nunca cambia abre la puerta a ataques de repetición mediante un válido, MAC estática que se registra y se repite en lugar de un MAC que se calcula al instante.

El autenticador calcula una MAC del desafío, el secreto, datos de la memoria, y los datos adicionales que en conjunto constituyen el mensaje ( Figura 3 ). Si el autenticador puede generar una MAC válida para cualquier reto, es seguro asumir que conoce el secreto y, por lo tanto, puede ser considerado como auténtico.

Cálculo de una autenticación de desafío y respuesta MAC.
Figura 3. Cálculo de una autenticación de desafío y respuesta MAC.

Seguridad de datos (escritura compulsada)

Más allá de probar la autenticidad, es altamente deseable conocer que los datos almacenados en el autenticador se puede confiar. Para este fin, algunos o todos de la EEPROM en un autenticador seguro puede ser "protegida de autenticación."Con la protección de autenticación activa, el acceso de escritura de memoria requiere que el huésped presenta prueba de su autenticidad, proporcionando una autenticación del host MAC al autenticador ( Figura 4 ).

El acceso a escritura autenticado (host autenticación MAC).
Figura 4. El acceso a escritura autenticado (host autenticación MAC).

La autenticación del host MAC se calcula a partir de los nuevos datos de la memoria, los datos de la memoria existentes, secreto único del autenticador más ROM de ID, y otros datos que juntas constituyen el mensaje. El autenticador calcula un MAC de la misma manera, usando su secreto.

Un host auténtico ha recreado el secreto del autenticador y puede generar un acceso de escritura válida MAC. Al recibir la MAC del host, el autenticador lo compara con su propio resultado. Los datos se escriben en la EEPROM sólo si los dos MAC coinciden. Áreas de memoria del usuario que están protegidos, no se pueden modificar, incluso si el MAC es correcto.

Protección del Secreto

El secreto del autenticador y secreto principal del coprocesador se leen protegido por el diseño de hardware. Si se desea, los secretos pueden ser protegidos contra escritura, lo que impide la manipulación de datos de la memoria del autenticador mediante la sustitución de secretos desconocidos de secretos conocidos. Después de la instalación, el enlace de datos, que se almacena típicamente en la memoria del coprocesador, se debe leer protegida. Este nivel de protección es efectiva siempre y cuando el coprocesador y el autenticador se establecen para la aplicación en un centro de producción de confianza.

DeepCover

El despliegue de DeepCover ® tecnologías ofrece la mayor protección económica contra cualquier ataque a nivel de la matriz que intentan descubrir la clave secreta. DeepCover tecnologías incluyen numerosos circuitos para monitorear activamente para eventos de nivel dado de manipulaciones, las técnicas de enrutamiento de matriz avanzada y diseño, y propietaria adicional métodos de lucha contra las sofisticadas capacidades de los atacantes.

Autenticación bidireccional

Los autenticadores seguras en el sistema de ejemplo aquí apoyan tanto la autenticación desafío-respuesta y escrituras autenticados (autenticación de host). La memoria de usuario completo se puede utilizar para autenticación de desafío y respuesta. Autenticación bidireccional se aplica a las áreas de memoria configurados para el almacenamiento seguro de datos (escritura compulsada).

Resumen

Con 256 bits cada uno para el secreto, desafío, y MAC, SHA-256 es una mejora significativa sobre mayores autenticación SHA-1. En este artículo se presenta un sistema de autenticación moderno, seguro que coincide con un sistema anfitrión (un coprocesador SHA-256 con el maestro 1-Wire) con un módulo periférico / sensor (el 1-Wire SHA-256 autentificadores). Del coprocesador incorporado maestro 1-Wire releva al huésped de realizar la comunicación 1-Wire en tiempo real. DeepCover 1-Wire SHA-256 autenticadores están disponibles en tres configuraciones de memoria de 3,3 V y 1,8 V operación. 2, 3También disponible para 3,3 V y 1,8 V, el coprocesador / master 4, 5 trabajos con los tres autenticadores. Seguridad SHA-256 nunca ha sido tan fácil.

Referencias
  1. Una introducción general a la autenticación mutua se encuentra en Maxim Aplicación integrada nota 3675, " La protección de la inversión en I + D con autenticación segura . "
  2. Hojas de datos de Maxim Integrated DS28E15 , DS28E22 , DS28E25 para la operación 3.3V.
  3. Hojas de datos de Maxim Integrated DS28EL15 , DS28EL22 , DS28EL25 para la operación 1.8V.
  4. Maxim Integrated ficha de datos DS2465 para su uso con DS28E15, DS28E22, DS28E25.
  5. Maxim Integrated ficha de datos DS24L65 para su uso con DS28EL15, DS28EL22, DS28EL25.

1-Wire es una marca registrada de Maxim Integrated Products, Inc. DeepCover es una marca registrada de Maxim Integrated Products, Inc.


Las piezas relacionadas

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Autenticador DeepCover seguro con SHA-256 del coprocesador y 1-Wire Función Maestro
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DS24L65
Autenticador DeepCover seguro con SHA-256 del coprocesador y 1-Wire Función Maestro
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DS28EL22
Autenticador DeepCover seguro con 1-Wire SHA-256 y 2Kb EEPROM usuario
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DS28EL25
Autenticador DeepCover seguro con 1-Wire SHA-256 y 4Kb EEPROM usuario
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Por:
Bernhard Linke, Miembro Principal del Personal Técnico

22 de enero 2014

http://www.maximintegrated.com/app-notes/index.mvp/id/5779