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6 de febrero de 2013

BLF8G27LS-100V Energía LDMOS transistor

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100 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2500 MHz...

PBSS4260PANP 60 V, 2 A NPN / PNP low VCEsat (BISS) transistor

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NPN / PNP bajo V CEsat avance en pequeña señal (BISS) transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en superfici...
22 de enero de 2013

BLF8G19LS-170BV Energía LDMOS transistor

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170 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 1800 MHz...

PBSS4130PAN 30 V, 1 A NPN / NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

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NPN / PNP bajo V CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en sup...
25 de diciembre de 2012

PBSS4240X 40 V, 2 A NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

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NPN bajo V CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media y plomo SOT89 plano para montaje en superficie del disp...
20 de diciembre de 2012

BLF8G22LS-240 Energía LDMOS transistor

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240 W LDMOS transistor de potencia para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2110 MHz a 2170 MHz.   Características y ve...
17 de julio de 2012

Low Vcesat (biss) Transistores

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30 de mayo de 2012

PSMN013-30MLC N-canal de 30 V 13,5 mW lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

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  Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una a...

Mosfet PSMN3R0-30MLC N-canal 30 V 3.15mΩ la lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

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Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una ampl...

Transistor PDTC114YMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 10 k, R2 = 47 kW

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  PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástic...

Transistor PDTA143EMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 4,7 kW, R2 = 4,7 kW

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  PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástic...

Transistor PDTC123JMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 2,2 kW, R2 = 47 kW

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  PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástic...

Transistor PDTA114YMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 10 k, R2 = 47 kW

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  PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástic...

Transistor PDTA114EMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 10 k, R2 = 10 kW

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PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. ...

Transistor PDTA123JMB PNP resistor-transistor equipada; R1 = 2,2 kW, R2 = 47 kW

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  PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo DFN1006B-3 ultra pequeño (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico...

PDTC124EMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 22 kW, R2 = 22 kW

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PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. ...