PBSS4260PANP 60 V, 2 A NPN / PNP low VCEsat (BISS) transistor

NPN / PNP bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico.

NPN / PNP complemento: PBSS4260PAN. PNP / PNP complemento: PBSS5260PAP.

Características y ventajas

• Muy bajo colector-emisor de saturación de tensión V _CEsat
• Capacidad coleccionista de alta intensidad I _C y _CM
• Alta corriente de colector ganancia h _FE en alto que _C
• La reducción de placa de circuito impreso (PCB) los requisitos
• Alta eficacia debido a la generación de calor menor
• AEC-Q101 calificado

Aplicaciones

• Cargar conmutador
• Batería dispositivos controlados
• Gestión de la energía
• Circuitos de carga
• Interruptores de energía (por ejemplo, motores, ventiladores)

Hoja de datos

• Serie Doble bajos VCEsat (BISS) transistores en DFN2020-6

  Voltaje colector-emisor VCEO = 30 V, 60 V y 120 V, corriente de colector IC = 1 A y 2 A

• Búsqueda paramétrica todos Bajos VCEsat (BISS) transistores