PBSS4130PAN 30 V, 1 A NPN / NPN bajo VCEsat (BISS) transistor

NPN / PNP bajo V _CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico.

NPN / PNP complemento: PBSS4130PANP. PNP / PNP complemento: PBSS5130PAP.

Características y ventajas

• Muy baja saturación colector-emisor Tensión V _CEsat
• Capacidad de alta corriente de colector I _C I y _CM
• Alta corriente de colector ganancia h _FE en alto que _C
• La reducción de placa de circuito impreso (PCB) los requisitos
• Alta eficiencia energética debido a la menor generación de calor
• AEC-Q101 calificado

Aplicaciones

• Cargar conmutador
• Batería dispositivos controlados
• Gestión de la energía
• Circuitos de carga
• Interruptores de energía (por ejemplo, motores, ventiladores)

• Búsqueda paramétrica todos Bajos VCEsat (BISS) transistores de doble NPN / NPN

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