BLF8G19LS-170BV Energía LDMOS transistor

170 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 1800 MHz a 1990 MHz.

Características y ventajas

• Excelente resistencia
• Alta eficiencia
• R Low _ª proporcionar una excelente estabilidad térmica
• La disociación conduce a un ancho de banda de video mejorado (100 MHz típico)
• La producción más baja capacitancia para mejorar el rendimiento en aplicaciones de Doherty
• Diseñado para los efectos de poca memoria que proporcionan una excelente pre-distortability
• Internamente emparejado para la facilidad de uso
• Integrado Protección ESD
• Sentido corriente integrada
• Cumple con la Directiva 2002/95/EC que restringe relación de sustancias peligrosas

Aplicaciones

• RF amplificadores de potencia para W-CDMA estaciones base
• Multiportadora aplicaciones en la banda de 1800 a 1990 MHz Rango de frecuencia

• Búsqueda paramétrica todo desde 1,8 hasta 2,0 GHz transistores

Hoja de datos