TriQuint ofrece nuevas amplifers GaN, transistores y procesos

TriQuint Semiconductor ha anunciado 15 nuevos amplificadores de nitruro de galio (GaN) y transistores junto con dos nuevos procesos de GaN.

Estos productos ofrecen un rendimiento, tamaño y ventajas de durabilidad para las comunicaciones, radares y sistemas de RF de defensa.

James L. Klein, Vicepresidente y Director General de Infraestructuras y Defensa Products, comentó que las ventajas de rendimiento de GaN son ahora más accesibles a los fabricantes RF, gracias a la expansión de TriQuint de procesos y soluciones de productos.

Tomó nota de los investigadores Strategy Analytics prevé un importante crecimiento de GaN."Si bien la defensa sigue siendo la mayor fuente de ingresos de GaN, la infraestructura está creciendo rápidamente. Sat-Com, el poder y CATV están aumentando a mayores ingresos.Previsiones de Strategy Analytics que el mercado de los dispositivos microelectrónicos GaN crecerá con un CAAGR de más del 34% a aproximadamente $ 186M en 2015 ", dijo Eric Higham, Director de Prácticas Semiconductor.

Proceso de cuartos de micras original de TriQuint se complementa ahora con una variante de alto voltaje, TQGaN25HV. El nuevo proceso se extiende a la tensión de servicio de drenaje de 0,25 micras de nitruro de galio a 48V al tiempo que ofrece mayor tensión de ruptura, una mayor densidad de potencia y de alta ganancia para DC-10 GHz aplicaciones.

Estas ventajas permiten a los dispositivos más resistentes que puedan soportar desajustes VSWR que podría destruir otros circuitos al tiempo que ofrece más potencia de salida de RF.

Un nuevo producto TriQuint diseñado con este proceso es T1G4012036-FS/FL, un transistor de empaquetado 120W para el radar y la infraestructura. Es casi dos tercios más pequeño que los dispositivos LDMOS similares.

TriQuint ha adoptado la tecnología de GaN a nuevos límites con su tercer proceso, TQGaN15.Se empuja el rango de frecuencia de nitruro de galio a 40 GHz, mientras que la entrega de alta densidad de potencia y el rendimiento de bajo ruido.

Este GaN 0,15 micras en proceso de SiC se utiliza para crear una nueva TGA2594 de TriQuint (5W) y TGA2595 (10W) en banda Ka VSAT amplificadores terminales terrestres.

Ellos tienen un máximo de 35% de PAE y son tres veces más pequeño que las soluciones comparables arseniuro de galio (GaAs).

Cartera de productos de TriQuint de nuevas soluciones de GaN también incluye el TAT9988 amplificador directo a placa MMIC de televisión por cable y fibra hasta el hogar (FTTH) de redes ópticas.

Fue creado con la segunda generación del proceso original TQGaN25 de TriQuint. Según la compañía, el TAT9988 lidera la industria en la ganancia, el rendimiento distorsión compuesta y la comodidad de montaje superficial.

Gama más amplia de TriQuint de GaN innovación se complementa con sus servicios de montaje integrados que incluyen envases dispositivo de inyección a nivel de rayos X y pruebas. TriQuint es también "fuente confiable" una DoD acreditado por GaN y GaAs, que incluye test post-procesamiento y empaquetamiento de servicios.