Freescale Semiconductor ha introducido un nuevo amplificador en modo de enriquecimiento pHEMT bajo ruido (LNA).
Los nuevos dispositivos se basan en la tecnología de proceso de GaAs y diseñado para optimizar el rendimiento del receptor para una amplia gama de sistemas inalámbricos que funcionan entre 700 y 1400 MHz.
Las aplicaciones típicas incluyen células pequeñas y transceptores de macrocélulas, así como una amplia gama de aplicaciones que requieren cifras de ruido extremadamente bajos, alta linealidad y alta potencia de salida de RF.
La figura de ruido del nuevo MML09231H es de 0,36 dB a 900 MHz, lo que es un LNA de alto rendimiento en su rango de frecuencia, mientras que el mantenimiento de una de las figuras de ruido más bajos de cualquier dispositivo de pequeña señal en la industria.
El nivel de rendimiento es ideal para los diseñadores del receptor, ya que puede aumentar la sensibilidad de los productos a las señales de muy bajo nivel. Además, la MML09231H tiene un tercer punto de salida de orden de intercepción (OIP3) de 37,4 dBm a 900 MHz la entrega de la alta linealidad requerida por los sistemas inalámbricos de hoy en día.
El nuevo Freescale LNA puede tolerar una señal de entrada máxima de 20 dBm, tiene una potencia de salida de RF máxima de 24.5 dBm (280 mW), alto aislamiento inverso de -21 dB, ganancia de pequeña señal de 17.2 dB (ajustable externamente), y el consumo de corriente de sólo 55 mA de un solo 5 V de corriente continua. Sus características incluyen una clavija integrada de apagado, control de polarización activa para mantener la actual, la estabilidad incondicional constante en la temperatura, y bajo recuento de componente externo.
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