El dispositivo NVT4555 está construido para interconectar una tarjeta SIM con una única interfaz de host lado de baja tensión. El NVT4555 contiene un LDO que puede ofrecer dos tensiones diferentes, 1,8 V o 2,95 V de la batería típica teléfono móvil tensiones hasta 5,25 V y tres traductores de nivel para convertir los datos, señales CLKn entre una tarjeta SIM y un microcontrolador y RSTn.
El NVT4555 contiene una selección de PIN tensión (CTRL) para seleccionar entre 1,8 V y 2,95 V para la alimentación de la tarjeta SIM y un pin enable HIGH activo (EN) para permitir el funcionamiento normal. El NVT4555 es compatible con todo el ETSI, IMT-2000 e ISO-7816 SIM / requisitos de la interfaz de tarjeta inteligente.
Características y ventajas
- Soporte de alimentación de la tarjeta SIM voltajes de 1,8 V y 2,95 V
- Rango de voltaje de LDO: 2,5 V a 5,25 V
- Host microcontrolador Tensión de funcionamiento: 1,1 V a 3,6 V
- Traducción automática el nivel de I / O, RSTn y CLKn entre la tarjeta SIM y la interfaz lado del host con el aislamiento de la capacitancia
- Parada baja corriente (EN = 0) el modo <1 μA
- Soporta velocidad de reloj más allá de 5 MHz de reloj
- Incorpora la función de desconexión de las señales de la tarjeta SIM de acuerdo con la norma ISO-7816-3
- ± 8 kV IEC61000-4-2 ESD protegido en todas las tarjetas de pines de contacto SIM
- Plomo, Restricción de Sustancias Peligrosas (RoHS) RoHS y libre de halógenos y antimonio (Dark Green compatible)
- Disponible en 12-pin paquete WLCSP (1.19 mm x 1.62 mm x 0.56 mm (nominal), 0,4 mm de paso)
Aplicaciones
- NVT4555 se puede utilizar con una amplia gama de dispositivos conectados de la tarjeta SIM, incluyendo:
- Teléfonos móviles y personales
- Módems inalámbricos
- Terminales de la tarjeta SIM
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