De doble canal N de enriquecimiento de efecto de campo transistor (FET) en un muy pequeño SOT363 Surface Mounted Device paquete de plástico (DME) con tecnología de Trench MOSFET.
Características y beneficios
- Baja tensión de umbral
- Cambio muy rápido
- Fosa de tecnología MOSFET
Aplicaciones
- Relé del controlador
- Línea de alta velocidad del conductor
- Del lado de baja loadswitch
- Sircuits de conmutación
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