Descripción del producto
Nivel lógico de canal N mejora el modo de efecto de campo transistor (FET) en un envase de plástico utilizando la tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para el uso de la informática, las aplicaciones de comunicaciones, industriales y de consumo.
Características
- La lógica compatible a nivel de
- Cambio muy rápido
- Fosa de tecnología MOSFET
Aplicaciones
- Gestión de las baterías
- Conmutación de alta velocidad
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