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17 de septiembre de 2014

SiC620 IC es compatible con una amplia gama de controladores PWM y soporta la lógica PWM de tri-estado de 5 V y 3,3 V

Etapas de potencia DrMOS

VRPower de etapas de potencia DrMOS integradas en perfil bajo, PowerPAK MLP térmicamente mejorado de 5×5 mm y 31 pines por paquete.

Proporcionando corrientes de más de 60 A por fase, los dispositivos Vishay Siliconix SiC620 son un 30% más pequeños que la generación previa de etapas de potencia de 6×6 mm, permitiendo un 3% más de eficiencia con picos del 95%.

Con reducción de corrientes parasitarias en comparación a las soluciones discretas, estos dispositivos permiten altas frecuencias de conmutación a 1,5 MHz para una mayor densidad de energía y reducción de los costes generales de la solución.

Estas nuevas etapas de potencia DrMOS integradas combinan un MOSFET de lado alto y de lado bajo TrenchFET Gen IV n-channel con índice de referencia a la resistencia, un controlador MOSFET IC avanzado, y un diodo Schottky bootstrap, todo en una área compacta de 25 mm².

El controlador de puerta de SiC620 IC es compatible con una amplia gama de controladores PWM y soporta la lógica PWM de tri-estado de 5 V y 3,3 V.

Totalmente compatible con las especificaciones DrMOS 4.0, la familia de etapas de potencia DrMOS SiC620 está diseñada para aplicaciones de alta potencia, regulador de carga multifase en los ordenadores portátiles, servidores, consolas de juegos, tarjetas gráficas, sistemas de conmutación y almacenamiento, y otros sistemas basados ​​en procesadores de alta potencia, además de alta corriente, módulos de aislamiento fuera del punto de carga.

Optimizado para carriles de entrada de 12 V, estos reguladores operan desde un rango de tensión de entrada de 4,5 V a 16 V, y proporcionan bajo retardo de propagación PWM de menos de 20 ns, ofreciendo un excelente rendimiento térmico. Los equipos disponen de una temperatura operativa de más de 50° C, más fría que las soluciones de la generación anterior.

El controlador de los dispositivos IC incorpora circuitería de Zero Current Detect para mejorar la eficiencia de carga ligera, mientras que un control adaptativo de tiempos muertos ayuda a mejorar todavía más la eficiencia en todos los puntos de carga.

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