loading...

5 de julio de 2011

BUK662R7-55C N-canal TrenchMOS nivel intermedio FET

BUK662R7-55C

image

De Nivel intermedio con puerta de la unidad N-canal, mejora el modo de efecto de campo transistor (FET), en un paquete de plástico con tecnología avanzada TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y cualificado, para la correspondiente norma AEC Q101, para su uso en aplicaciones de automoción de alto desempeño.

NXP Semiconductors logo

Características y ventajas

 

  • AEC Q101 compatible
  • Apropiado para fuentes de nivel intermedio de control de puerta
  • Adecuado para entornos exigentes térmicamente debido a 175 ° C de

 

Aplicaciones

 

  • 12 V y 24 V Automotrices
  • Energía eléctrica y electro-hidráulico de dirección
  • Motores, lámparas y control de solenoide
  • Start-Stop micro-aplicaciones híbridas
  • Control de la transmisión
  • De energía de ultra alto rendimiento de conmutación
  • Hoja de datos

    (Especificación de producto)
    v.1.0, 09/07/2010
    páginas, 181 KB

No hay comentarios:

Publicar un comentario