CSD17505Q5A 30 V, N-Canal NexFET ™ MOSFET de la energía con 20 voltios Vgs

Hoja de datos

• 30V, canales de alimentación MOSFET N NexFET ™ (PDF 160 KB)
    02 de septiembre 2010

Descripción

El MOSFET de potencia NexFET ™ ha sido diseñado para minimizar las pérdidas en las solicitudes de conversión de la energía.

Características

• Ultralow Q _g y Q _gd
• Baja Resistencia térmica
• Avalancha clasificado
• Pb libre Terminal forro
• RoHS
• Libre de Halógenos
• Hijo de 5 mm x 6 mm Envases de plástico
• APLICACIONES
  • Buck síncronos punto de carga de red, 
    Telecomunicaciones y sistemas de computación
  • Optimizado para el Control y aplicaciones síncronas FET

NexFET es una marca comercial de Texas Instruments.

Paramétricas

	CSD17505Q5A	CSD17507Q5A	CSD17510Q5A
VGS (V)	+20 / -12	20/-12	20/-12
VGSTH (V)	1.3	1.6	1.5
VDS (V)	30	30	30
QGD (NC)	2.7	0.7	1.9
QGS (NC)	3.5	1.3	2.7
QG (NC)	10	2.8	6.4
RDS (on) en VGS = 4.5V (mOhm)	3.7	11.8	5.4
Pin / Paquete		8SON	8SON
Rango de temperatura (° C)	-55 A 150	-55 A 150	-55 A 150