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22 de enero de 2013

PSMN4R8-100BSE N-canal 100 V 4,8 mW nivel estándar MOSFET en D2PAK

Nivel Medio N-MOSFET de canal en un paquete D2PAK calificó a 175 ° C. Parte de NXP "NextPower Live" de la cartera, el PSMN4R8-100BSE complementa las últimas "hot-swap" controladores - lo suficientemente robusta como para soportar corrientes sustanciales de irrupción durante el turno en adelante, al tiempo que ofrece un bajo R DS (on) característico para mantener las temperaturas abajo y eficiencia en uso continuo. Ideal para sistemas de telecomunicaciones basados ​​en un backplane 48 V / material ferroviario.

Características y ventajas

  • Mejorado área polarizado operativo de seguridad para funcionamiento superior modo lineal
  • Muy baja R DS (on) para bajas pérdidas en conducción

Aplicaciones

  • Tapón electrónico
  • Hot swap
  • Cargar conmutador
  • Arranque suave
  • Hoja de datos

NXP lanza Siguiente MOSFET de potencia de generación para aplicaciones de Hot-Swap

NextPower Live ofrece un excelente desempeño modo lineal y bajo RDS (on)

Eindhoven, Países Bajos y Manchester, Reino Unido, 14 de enero 2013 - A partir de su posición de liderazgo en el sector de alimentación MOSFET, NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) ha lanzado hoy su NextPower en vivo de la cartera, una nueva familia de modo lineal Potencia MOSFET diseñado específicamente para utilizar en ambientes 'hot-swap'. La familia NextPower Live ofrece un excelente desempeño modo lineal y una muy baja RDS (on) de valor, una combinación única demostración de pericia de NXP en esta área.

Gran parte de la infraestructura que funciona nuestro mundo 24/7 en línea - de la computación en nube y la telefonía móvil a los cajeros automáticos y gestión del tráfico - se compone de sistemas basados ​​en rack que viven de forma permanente (conectado). Como tal, los módulos y componentes que impulsan estos sistemas deben ser capaces de ser "intercambiar en caliente" para permitir actualizaciones y mantenimiento sin necesidad de apagar el equipo. NXP NextPower MOSFETs en vivo están diseñados para ofrecer un rendimiento óptimo dentro de tales sistemas.

Con el fin de hacer frente a la corriente de entrada cuando una placa de repuesto está conectado a un sistema vivo, MOSFETs necesita tener un buen desempeño modo lineal y una amplia zona de operación segura (SOA) para la protección contra subidas de tensión, sin embargo, esto tiene tradicionalmente requiere el uso de MOSFETs de generación anterior con RDS pobre (a) la eficiencia. El NXP NextPower familia vivo ha superado este problema, ofreciendo un alto rendimiento el modo lineal para administrar la secuencia de encendido, mientras que la entrega de niveles muy bajos de resistencia una vez instalado de forma segura y en funcionamiento.

"Vivimos en un mundo sin escalas donde nunca la informática y de comunicaciones duerme - para disfrutar de nuestra siempre conectado, siempre en sociedad sin interrupción requiere un tipo especial de componentes capaces de hacer frente a las demandas de aplicaciones de misión crítica", dijo Chris Boyce, director MOSFET de negocios, NXP Semiconductors. "En el pasado, los propietarios de infraestructura se han visto obligados a usar mayores MOSFETS generación que podía hacer frente a ser instalado en un entorno real, pero posteriormente se introdujo altos niveles de resistencia en el sistema, quemando el exceso de energía y elevando la temperatura del bastidor. Los MOSFETs NextPower Vivo cambiar todo eso, fiable encendido sin interrupción luego operar con un muy bajo RDS (on) de valor. Ninguna otra solución puede ofrecer parámetros comparables de rendimiento. "

La cartera NextPower en vivo incorpora dispositivos de 30V para aplicaciones como servidores blade operan con un suministro de 12 V DC y 100 V para aplicaciones de dispositivos de telecomunicaciones que operan en una alimentación nominal de 48 V DC. Ambos rangos de voltaje vienen en D2PAK y LFPAK56 (Power-SO8 compatible) y paquetes están disponibles.

NXP también está desarrollando MOSFETs NextPower en vivo para una gama de otros relacionados con el modo lineal-aplicaciones como Power-over-Ethernet (PoE).

Enlaces
Acerca de NXP Semiconductors

NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) proporciona señal mixta de alto rendimiento y soluciones de productos estándar que aprovechan su líder RF, Analog, administración de energía, seguridad de interfaz y experiencia de procesamiento digital. Estas innovaciones se utilizan en una amplia gama de automoción, la identificación, la infraestructura inalámbrica, iluminación, industriales, móviles, de consumo y aplicaciones de computación. Una empresa global de semiconductores, con operaciones en más de 25 países, NXP registró ingresos de US $ 4,2 mil millones en 2011. Información adicional se puede encontrar visitando www.nxp.com .

NextPower Live! - MOSFETs para un mundo sin parar

Rendimiento fiable modo lineal y bajo RDS (on) la eficiencia en "hot-swap" y "arranque suave" aplicaciones

Un sinfín de aplicaciones Non-stop equipo
  • La computación en nube
  • Los servidores blade
  • Almacenamiento en red
  • Routers, switches y estaciones base
  • Infraestructura de comunicaciones
  • Arrays RAID
  • Control de procesos industriales
  • PCs industriales
  • Procesamiento de transacciones
  • Controladores lógicos programables (PLCs)
  • Vigilancia del tráfico y señalización
  • Grabadoras de vídeo digital
  • CCTV seguridad
  • "Extraíbles en caliente" y "arranque suave" sistemas

Los teléfonos móviles, cajeros automáticos, señales de tráfico, el Internet - por lo que gran parte de nuestra vida cotidiana depende de rack basados ​​en computadoras, comunicaciones y almacenamiento, que deben mantenerse con la alimentación. NextPower MOSFETs en vivo han sido diseñados específicamente para estas aplicaciones:

  • Cuando una placa de repuesto está conectado a un sistema vivo, es importante que la corriente de entrada se controla cuidadosamente, para proteger los componentes de la placa y asegurarse de que otras partes del sistema no experimenta ninguna interrupción de energía. MOSFETs con un rendimiento del modo lineal fuerte y amplia zona de operación segura (SOA) son necesarios para administrar esta corriente eficaz y fiable.
  • Una vez que la placa de repuesto está instalado de forma segura, el MOSFET se gira completamente en ON. En este modo de operación, un bajo RDS (on) valor es de primordial importancia, ayudando a mantener temperaturas por debajo y la eficiencia del sistema en un máximo.

Sólo los MOSFETs NextPower Vivo ofrecen un rendimiento fiable modo lineal Y eficiencia bajo RDS (on).


 

 

30 V

para 12 V suministros utilizados en aplicaciones informáticas

100 V

48 V para los suministros usados ​​en telecomunicaciones

D2PAK

(SOT404)

PSMN1R5-30BLE *
 

PSMN3R4-30BLE

PSMN4R8-100BSE

PSMN7R6-100BSE

LFPAK56

(Power-SO8)

PSMN2R0-30YLE
 

PSMN013-100YSE

LFPAK33  

(Específicamente para aplicaciones PoE)

PSMN040-100MSE

PSMN075-100MSE

  Disponible Ahora

Disponible Q1/2013

* "E" sufijo indica la fuerza adicional capacidad de SOA *

Las actualizaciones regulares

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http://www.nxp.com/news/news-archive/2012/NextPower-Live----MOSFETs-for-a-non-stop-world.html

PSMN1R5-30BLE Canal N 30 V 1,5 mW lógica MOSFET nivel en D2PAK

Nivel lógico MOSFET de canal N en el paquete D2PAK calificó a 175 ° C. Este producto está diseñado y cualificado para su uso en una amplia gama de aplicaciones industriales, equipos de comunicaciones y doméstico.

Características y ventajas

  • Mejorado área polarizado operativo de seguridad para funcionamiento superior modo lineal
  • Rdson muy baja para bajas pérdidas en conducción

Aplicaciones

  • Tapón electrónico
  • Hot swap
  • Cargar conmutador
  • Arranque suave

Hoja de datos

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17 de enero de 2013

PSMN1R5-30BLE Canal N 30 V 1,5 mW lógica MOSFET nivel en D2PAK

 

Nivel lógico MOSFET de canal N en el paquete D2PAK calificó a 175 ° C. Este producto está diseñado y cualificado para su uso en una amplia gama de aplicaciones industriales, equipos de comunicaciones y doméstico.

Características y ventajas

  • Mejorado área polarizado operativo de seguridad para funcionamiento superior modo lineal
  • Rdson muy baja para bajas pérdidas en conducción

Aplicaciones

  • Tapón electrónico
  • Hot swap
  • Cargar conmutador
  • Arranque suave

Hoja de datos

20 de diciembre de 2012

BUK751R8-40E N-canal TrenchMOS estándar FET nivel

Nivel Medio N-MOSFET de canal en un paquete SOT78 utilizando la tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y calificado para AEC Q101 estándar para su uso en aplicaciones de automoción de alto.

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Características y ventajas

  • AEC Q101 compatible
  • Avalancha repetitiva nominal
  • Adecuado para entornos exigentes térmicamente debido a 175 ° C Nota
  • Es cierto nivel de puerta estándar con VGS (th) Puntuación de más de 1V a 175 ° C

Aplicaciones

  • 12 V Automotive Systems
  • La energía eléctrica y electro-hidráulico de dirección
  • Los motores, lámparas y control de solenoide
  • Start-Stop micro-aplicaciones híbridas
  • De control de transmisión
  • Potencia ultra alto rendimiento de conmutación

29 de agosto de 2012

PSMN1R6-40YLC Canal N 40 V 1,55 mW lógica MOSFET nivel en LFPAK NextPower utilizando tecnología

 

Nivel lógico mejora el modo de canal N MOSFET en un paquete LFPAK. Este producto está diseñado y cualificado para su uso en una amplia gama de aplicaciones industriales, equipos de comunicaciones y doméstico.

 

Características y ventajas

  • Alta potencia fiabilidad SO8 paquete, calificó a 150 ° C
  • Optimizado para el control de puerta 4.5V utilizando NextPower Superjunction tecnología
  • QG ultra bajo, QGD, y QOSS para la eficiencia del sistema de alta con cargas bajas y altas
  • Rdson ultra baja y baja inductancia parásita

Aplicaciones

  • DC-a-DC convertidores
  • Conmutación de carga
  • Power OR-ing
  • Suministro de alimentación del servidor
  • Sync rectificador
  • Hoja de datos

26 de agosto de 2012

BLF8G27LS-100V Power LDMOS transistor

 

100 W LDMOS transistor de potencia con ancho de banda de vídeo mejorada para aplicaciones de estaciones base en las frecuencias de 2500 MHz a 2700 MHz.

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Características y ventajas

  • Excelente resistencia
  • Alta eficiencia
  • R Low ª proporcionar una excelente estabilidad térmica
  • La disociación conduce a un ancho de banda de vídeo mejorada
  • Diseñado para operación de banda ancha (2500 MHz a 2700 MHz)
  • La producción más baja capacitancia para mejorar el rendimiento en aplicaciones de Doherty
  • Diseñado para los efectos de poca memoria que proporcionan una excelente pre-distortability
  • Internamente emparejado para la facilidad de uso
  • Integrado Protección ESD
  • Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS) Directiva 2002/95/CE

Aplicaciones

  • Amplificadores de potencia de RF de estaciones de base
  • Multiportadora aplicaciones en la banda de 2500 a 2700 MHz Rango de frecuencia

18 de julio de 2012

PMDPB58UPE 20 V de doble canal P Trench MOSFET

 

Doble de pequeña señal de canal P modo de mejora de efecto de campo transistor (FET) en una potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico utilizando la tecnología de Trench MOSFET.

Características y beneficios

  • Baja tensión de umbral
  • Cambio muy rápido
  • Fosa de tecnología MOSFET
  • 2 kV de descarga electrostática (ESD)

Aplicaciones

  • Relé del controlador
  • Línea de alta velocidad del conductor
  • Alto-lado de la carga interruptor
  • Circuitos de conmutación

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30 de mayo de 2012

PSMN3R9-25MLC N-canal 25 V 4,15 mW lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una amplia gama de industriales, equipos de comunicaciones y el hogar.

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Características y beneficios

  • Inductancia parásita de baja y la resistencia
  • Optimizado para la unidad de Puerta de 4.5V utilizando la tecnología NextPower Superjunction
  • QG ultra bajo, Gambito de Dama, y ​​QOSS para la eficacia del sistema de alta con cargas bajas y altas

Aplicaciones

  • CC-CC los convertidores
  • Conmutación de carga
  • Síncrono del regulador buck

PSMN9R0-25MLC N-canal 25 V 8,65 mW lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una amplia gama de industriales, equipos de comunicaciones y el hogar.

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Características y beneficios

  • Inductancia parásita de baja y la resistencia
  • Optimizado para la unidad de Puerta de 4.5V utilizando la tecnología NextPower Superjunction
  • QG ultra bajo, Gambito de Dama, y ​​QOSS para la eficacia del sistema de alta con cargas bajas y altas

Aplicaciones

  • CC-CC los convertidores
  • Conmutación de carga
  • Síncrono del regulador buck

26 de abril de 2012

PSMN9R8-30MLC N-canal 30 V 9,85 mW lógica MOSFET de nivel en LFPAK33 utilizando NextPower Tecnología

Nivel de la lógica mejora el modo de canal N, MOSFET en LFPAK33 paquete. Este producto está diseñado y se clasificó para su uso en una amplia gama de industriales, equipos de comunicaciones y el hogar.

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Características y beneficios

  • Inductancia parásita de baja y la resistencia
  • Optimizado para la unidad de Puerta de 4.5V utilizando la tecnología NextPower Superjunction
  • QG ultra bajo, Gambito de Dama, y ​​QOSS para la eficacia del sistema de alta con cargas bajas y altas

Aplicaciones