22-A de Vishay, 600 Super-V ™ ofrecen la salida del FET MOSFET de resistencia tan baja como 0,19 ohmios (máx.) y una mejora en la resistencia a la puerta veces la figura encargada de mérito (FOM).
Beneficios clave
• Reducción drástica del SDR máxima (a) en VGS = 10 V: 0.190 Ω
• puerta de ultra bajo costo: Qg = 98 nC
• Aumento de la eficiencia para SMPS
• Alta capacidad de AER
• Bajo la figura de mérito (FOM) Ron x Qg
• 100% probado avalancha
• Alta capacidad de corriente máxima
• dV / dt robustez
• A partir del COSS especificado
• Mejora de la transconductancia
• Potencia de disipación de alta capacidad
APLICACIONES
• Corrección del factor de potencia (PFC) y la modulación por ancho de pulso (PWM) en una amplia gama de productos electrónicos, incluyendo:
º Televisores LCD
º PC
º Servidores
º SWITCHMODE fuentes de alimentación (SMPS)
º Telecom sistemas
Comprar el Super unión FET ™ MOSFETs de Future Electronics
Beneficios clave
• Reducción drástica del SDR máxima (a) en VGS = 10 V: 0.190 Ω
• puerta de ultra bajo costo: Qg = 98 nC
• Aumento de la eficiencia para SMPS
• Alta capacidad de AER
• Bajo la figura de mérito (FOM) Ron x Qg
• 100% probado avalancha
• Alta capacidad de corriente máxima
• dV / dt robustez
• A partir del COSS especificado
• Mejora de la transconductancia
• Potencia de disipación de alta capacidad
APLICACIONES
• Corrección del factor de potencia (PFC) y la modulación por ancho de pulso (PWM) en una amplia gama de productos electrónicos, incluyendo:
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º PC
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º SWITCHMODE fuentes de alimentación (SMPS)
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