Utilización de la tecnología de oblea fina con zanja para ofrecer las pérdidas más bajas en conducción y conmutación, los nuevos IGBT ultrarrápidos de 600 V se encapsulan junto con un diodo de recuperación suave de baja Qrr y presentan una conmutación ultrarrápida (8 KHz-30 KHz) capaz de hacer frente a cortocircuitos en 5 µs. Estos IGBT ultrarrápidos de 600 V también se caracterizan por una baja VCE(ON) y un coeficiente positivo de temperatura para facilitar su conexión en paralelo.
IR66xx de IGBT ultrarrápidos de 600 V, de puerta aislada Field Stop con puerta en zanja (Trench) y de altas prestaciones
La serie IR66xx de IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistors) también ofrece una elevada frecuencia de conmutación, temperatura máxima de unión de 175 °C y bajo nivel de EMI para mejorar la fiabilidad, aumentar la eficiencia del sistema y unas prestaciones más resistentes frente a transitorios.
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