15W 28V DC-6 GHz GaN RF del transistor de energíaPart # T2G6001528-SG

T2G6001528-SG

Avance

Características principales

• Rango de frecuencia: DC-6 GHz
• P3dB: 17W a 3,3 GHz
• PAE3dB: 72% típico
• Ganancia lineal:> 15 dB a 3,3 GHz
• Sesgo: Vd = 28V, Idq = 100mA, Vg =-3.2V típica
• Dimensiones: 5,08 x 7,37 x 2,41 mm

Descripción

El TriQuint T2G6001528-SG es un (P3dB) GaN discreta 15W en SiC HEMT que opera desde DC a 6.0 GHz. El dispositivo está construido con proceso TQGaN25 probada de TriQuint, que cuenta con las técnicas de la placa de campo avanzadas para optimizar la potencia y la eficiencia en las condiciones de funcionamiento de alta polarización de drenaje. Esta optimización puede reducir potencialmente los costes del sistema en términos de un menor número de amplificadores alineaciones y menores costes de gestión térmica. sin plomo y RoHS. placas de evaluación están disponibles bajo petición.

Especificaciones

Frecuencia  (GHz)
CC a 6

Lineal Ganancia  (dB)
15.5

P1dB  (dBm)
42.3

Psat  (dBm)

NF  (dB)

PAE  (%)

Voltaje  (V)
28

Corriente  (mA)
100

Tipo de paquete

RoHS
Sí

Libre de plomo
Sí

Libre de halógenos
Sí

Documentos del Producto

• Especificaciones del producto
• Gerber PCB Layout Archivos

• S-parámetros (28V a 50 mA)

Aplicaciones típicas

• Radar Comercial
• Sistemas de Comunicación

• Radar Militar