Macom Technology Solutions, un proveedor de alto rendimiento de radiofrecuencia (RF), microondas y ondas milimétricas productos, ha lanzado un nuevo nitruro de galio cerámica (GaN) de carburo de silicio (SiC) High-Electron Transistor Movilidad (HEMT).
El Magx-001090-600L00 es de oro metalizado, combinado GaN en SiC, transistor de potencia RF optimizado para aplicaciones de aviónica pulsadas, como el radar secundario de vigilancia en los sistemas de control de tráfico aéreo. El Magx-001090-600L00 proporciona 600 W de potencia de salida con un típico 21,4 dB de ganancia y el 63 por ciento de eficiencia. El dispositivo tiene muy baja resistencia térmica de 0,05 grados C / W y carga desajuste tolerancia de 5-a-1. Además, el dispositivo tiene la caída de pulso más bajo de 0,2 dB y también se puede utilizar con eficacia bajo las condiciones de funcionamiento más exigentes ELM Mode-S.
Tecnología de transistores de GaN Macom ha sido calificado con pruebas de vida acelerada, de alta temperatura y este dispositivo tiene una predicción Tiempo medio hasta el fallo (MTTF) de más de 600 años a una temperatura máxima de la unión de los 200 grados centígrados. El dispositivo también cuenta con voltajes muy altos de degradación, lo que proporciona a los clientes un funcionamiento fiable y estable incluso en condiciones de conflicto de carga extrema.
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