Cartera de ST MOSFET ofrece una amplia gama de voltajes de ruptura de -500 V a 1500 V, con puerta de carga bajo y baja resistencia, combinado con el estado de la técnica de envasado.Tecnología de ST proceso tanto para MOSFETs de alta tensión y baja tensión ha aumentado la capacidad de manejo de potencia, lo que resulta en soluciones de alta eficiencia.
Las principales características de nuestro amplio portafolio incluyen:
- -500 V a 1500 V desglose rango de tensión
- Más de 30 opciones de paquetes como el 1-mm de altura de montaje superficial PowerFLAT HV ™ 8x8
- Lo mejor del mundo R DS (on) * Área para 650 V MOSFET de potencia (0,029 Ω en el paquete de To-247)
- Puerta de carga mejorada y un menor consumo de energía para satisfacer las necesidades exigentes de hoy en día la eficiencia
- Intrínseca cuerpo diodo rápido opción para las líneas de productos seleccionados
En cada aplicaciones de rango de tensión de apoyo como punto de carga, telecomunicaciones convertidores DC-DC, PFC, fuentes de alimentación conmutadas y equipos de automoción, ST tiene el MOSFET adecuado para su diseño.
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