MMZ25332B Transistor bipolar de heterounión Tecnología (InGaP HBT)

Transistor bipolar de heterounión
Tecnología (InGaP HBT)
Alta Eficiencia / Amplificador de linealidad
El MMZ25332B es un 2 - etapa, alta linealidad InGaP HBT amplificador de banda ancha
diseñado para femtocell, picocélula, WLAN (802.11g / n), W - CDMA, TD - SCDMA
LTE y aplicaciones de banda ancha inalámbricos. Proporciona linealidad excepcional para
LTE y W - CDMA interfaces de aire con un ACPR de - 50 dBc en una potencia de salida
de hasta 22 dBm, que abarca las frecuencias de 1.800 a 2800 MHz. Funciona a partir de un
la tensión de alimentación de 3 a 5 voltios. El amplificador está totalmente entrada coincidente, requiere
coincidencia mínima externo en la salida y se encuentra en un costo - efectiva,
montaje en superficie QFN 3  3 paquete. El dispositivo ofrece el estado - de - la - la fiabilidad técnica,
robustez, estabilidad de la temperatura y el rendimiento de la EDS.
 Rendimiento típico: VCC1 = VCC2 = VBIAS = 5 Volts, ICQ = 400 mA


Características
 Frecuencia: 1800 - 2800 MHz
 P1dB: 33 dBm @ 2500 MHz
 Ganancia de potencia: 26,5 dB a 2500 MHz
 OIP3: 48 dBm @ 2500 MHz
 EVM ≤ 3% @ 23,5 dBm Pout
, WLAN (802.11g)
 Control de polarización activa (ajustable externamente)
 Apagar Control a través de VBIAS Pin
 Clase 3A HBM ESD Rating
 individual 3 a 5 Volts de alimentación
 Individual - Detector de composición de alimentación
 Costo - efectivo QFN 3  3 Paquete de montaje en superficie
 En la cinta y del carrete. T1 Sufijo = 1.000 unidades, 12 mm de ancho de cinta de carrete, 7 - pulgadas.

http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/data_sheet/MMZ25332B.pdf