22 de diciembre de 2012

PBSS4240X 40 V, 2 A NPN bajo VCEsat (BISS) transistor


NPN bajo V CEsat avance en pequeña señal (BISS) en un transistor de potencia media y plomo SOT89 plano para montaje en superficie del dispositivo (SMD) Paquete de plástico. PNP complemento: PBSS5240X.

Características y ventajas

  • Baja saturación colector-emisor Tensión V CEsat
  • Capacidad de alta corriente de colector I C I y CM
  • Alta eficacia debido a la generación de calor menor

Aplicaciones

  • DC-a-DC conversión
  • Suministro de conmutación de línea
  • Cargador de baterías
  • Retroiluminación LCD
  • Conductor en aplicaciones de baja tensión de alimentación (por ejemplo, lámparas y LEDs)
  • Controlador de carga inductiva (por ejemplo, relés, alarmas y motores)

No hay comentarios:

Publicar un comentario