BLF640 LDMOS transistor de potencia de banda ancha

10 W LDMOS transistor de potencia para aplicaciones en frecuencias de HF a 2200 MHz.

Características y ventajas

• Fácil control de potencia
• Integrado Protección ESD
• Excelente resistencia
• Alta eficiencia
• Excelente estabilidad térmica
• No coincidencia interno para operación de banda ancha
• Cumple con la Directiva 2002/95/EC que restringe relación de sustancias peligrosas

Aplicaciones

• Amplificadores de potencia de RF para aplicaciones en el rango HF a 2200 MHz de frecuencia
• Conductores de difusión

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