Doble de pequeña señal de canal P modo de mejora de efecto de campo transistor (FET) en una potencia media sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico utilizando la tecnología de Trench MOSFET.
Características y beneficios
- Baja tensión de umbral
- Cambio muy rápido
- Fosa de tecnología MOSFET
- 2 kV de descarga electrostática (ESD)
Aplicaciones
- Relé del controlador
- Línea de alta velocidad del conductor
- Alto-lado de la carga interruptor
- Circuitos de conmutación
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