PDTC115EMB NPN resistencia equipado transistor; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

 

PNP resistor-transistor equipada (RET) en un sin plomo ultra pequeño DFN1006B-3 (SOT883B) Surface Mounted Device (DME) envase de plástico. PNP complemento: PDTA115EMB.

 

Características y beneficios

• 20 mA capacidad de corriente de salida
• Reduce el número de componentes
• Resistencias de polarización
• Reduce los costes de recogida y colocación
• Simplifica el diseño de circuitos
• AEC-Q101 calificado
• Sin plomo ultra pequeño envase de plástico SMD
• La altura del paquete de baja de 0,37 mm

Aplicaciones

• Baja corriente controladores de periféricos
• El control de entradas de CI
• Sustituye a los transistores de uso general en las aplicaciones digitales
• Las aplicaciones móviles