Tri-gate. Transistores Tridimensionales, la nueva vía de Intel

Los nuevos procesadores Intel dimensiones del transistor de diseño de tres, anunció a principios de esta semana, que es la culminación de más de una década de investigación y desarrollo que se inició en un laboratorio de la Universidad de California en Berkeley en 1999.

 

Los transistores de 22 nanómetros, que Intel dice que va a hacer que los chips sean 37 por ciento más rápidos, y la mitad de consumo de poder, se utilizará para todos los elementos en los chips de la compañía a escala de 22 nanómetros, que incluye tanto los circuitos de lógica y memoria. Los procesadores que utilizan el "tri-gate" transistores se han demostrado en los sistemas de trabajo, y la compañía comenzará la producción en volumen en el segundo semestre de este año. No está claro cómo los fabricantes de dispositivos podrán disfrutar de las fichas, pero es probable que permiten la vida de la batería mejorada y una mayor sofisticación de los dispositivos portátiles, así como un procesamiento más rápido para computadoras de escritorio y servidores.

Intel se volvió hacia el nuevo diseño, porque los diseños existentes han comenzado a correr contra un puesto de control de rendimiento. Los transistores convencionales se componen de una estructura de metal denominados «una puerta que está montado en la parte superior de un canal plano de silicio. La puerta controla el flujo de corriente a través del canal de un electrodo de la fuente de la fuga de los electrodos. Con cada generación de chips, el canal se ha vuelto cada vez más pequeños, permitiendo a las compañías como Intel para hacer chips más rápidos por el embalaje en más transistores. Pero se ha vuelto más difícil para la puerta de cortar totalmente el flujo de la corriente. Los transistores con fugas que no se apague por completo dejan residuos de alimentación.

Los transistores tri-gate, con el uso de un canal rectangular de silicio que sobresalen de la superficie del chip, permitiendo la puerta para contactar con el canal en tres lados, en lugar de uno solo. Este contacto más íntimo: la puerta puede activar el transistor apagado casi por completo, incluso en la escala de 22 nanómetros, que es responsable del aumento de la eficiencia energética en los nuevos chips de Intel. También es posible hacer transistores tri-gate, con el canal de silicio más de uno conectado a cada puerta con el fin de aumentar la cantidad de corriente que puede fluir a través de cada transistor, lo que permite un mayor rendimiento.

Intel no ha inventado este diseño de transistores, pero la compañía es el primero en entrar en producción. Si la empresa se ​​había pegado con transistores planares en el traslado de 32 - a 22 nanómetros, los transistores, los chips se han demostrado 20 a 30 por ciento de aumento en la eficiencia y el rendimiento, dice analista de la industria Linley Gwennap. Ha habido especulaciones de que la compañía utiliza el diseño de transistores nuevos elementos de la memoria y no la lógica, por lo que no elimina completamente los transistores planar. Mediante el uso de la tecnología tri-puerta para la memoria y la lógica, dice Gwennap, "Intel es realmente creciente para las vallas y ver una gran mejoría en el rendimiento, lo que podría ser una ventaja enorme" sobre sus competidores.

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