La clave del éxito, según el profesor Bernard Kippelen, director del Centro Tecnológico de Georgia Orgánica de Fotónica y Electrónica, fue la elaboración de una nueva interfaz entre dos dieléctricos de puerta apilada. El material consiste en un polímero fluorado mediante el uso de C-C, F C y enlaces C-O llama Cytop, y un metal Hi-k de óxido establecido con la deposición de capas atómicas.
"En lugar de utilizar un material dieléctrico sola", dijo Kippelen. "Hemos desarrollado un dieléctrico de la puerta doble capa." Se realiza el trabajo con los investigadores hacer Hwang Kyung, Canek Fuentes Hernández, Kim Jungbae, Postcavage William, y Kim Sung-Jin.
La forma una capa Cytop con defectos muy pocos en la interfaz con el semiconductor orgánico, pero tiene una constante dieléctrica baja por lo que requiere una elevada rotación en la tensión de un transistor de plástico. El material de alta k tiene características eléctricas de baja tensión, pero es debido a fugas muchos defectos en la interface. Pero juntando los dos materiales, el equipo fue capaz de tener lo mejor de ambos mundos.
"Tenemos dos diferentes mecanismos de degradación que ocurren al mismo tiempo, pero los efectos son tales que compensan entre sí", dijo Kippelen.
El equipo ha sido el ciclismo transistores hechos de la materia más de 20.000 veces sin degradación es su capacidad de transporte de bajo voltaje de alta corriente, en comparación con anteriores formulaciones plásticas.
El equipo está actualmente transfiriendo el material de su ensayo de vidrio-sustrato-cama para un sustrato de polímero flexible fabricado por debajo de 150 grados centígrados. Si todo va bien, el siguiente paso va a utilizar la impresión por chorro de tinta para realizar el depósito real. La financiación de proyectos de Georgia Tech fue proporcionada por la Oficina de Investigación Naval, la Fundación Nacional de Ciencia y Solvay SA.
http://www.eetimes.com/electronics-news/4212760/Bilayer-gate-solves-plastic-transistor-woes
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