22 de diciembre de 2010

MCP con PRAM y UtRAM. Memoria de cambio de fase dentro de un paquete multi-chip dentro de un teléfono móvil

TechInsights UBM, ha confirmado la disponibilidad comercial de un dado la PRAM de 512 Mbit, etiquetado KPS1N15EZA y empacados con un UtRAM Samsung 128Mbit, PCB en un paquete multi-chip, en un teléfono móvil. La suerte de Samsung PRAM, se compone de cuatro capas de aluminio de la interconexión, con los elementos de la memoria y los contactos de los electrodos superior e inferior, construido entre el metal de aluminio de 1 y el substrato de silicio.

 

 

"El reciente debate sobre la limitación de escala de las tecnologías de la fase de cambio de memoria, junto con retrasos en la producción de Numonyx, había dejado a muchos preguntándose si la PRAM ,nunca se daría cuenta de su promesa como una memoria de próxima generación", dijo Young Choi, consultor senior de servicios profesionales en UBM TechInsights, en un comunicado. "El descubrimiento de este producto, en una aplicación móvil es una clara señal ,de que los diseñadores se han abierto a la utilización de esta prometedora tecnología."

Gracias a:

http://www.eetimes.com/electronics-news/4211190/Phase-change-memory-found-in-handset

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