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17 de septiembre de 2014

componentes electrónicos de pequeño tamaño

 

ROHM Semiconductor empieza a fabricar una nueva familia denominada RASMID (ROHM Advanced Smart Micro Device) de componentes electrónicos de pequeño tamaño, basada en procesos patentados innovadores. La compañía ha sido pionera en la tecnología de miniaturización, y está cultivando continuamente nuevos métodos para alcanzar los dispositivos más pequeños de la industria. Entre otros, la nueva línea incluye resistencias chip ultra-compactas en tamaño 03015 (0,3 × 0,15 mm), así como diodos de barrera Schottky en tamaño 0402 (0,4 x 0,2 mm).

Durante mucho tiempo, ha demostrado ser imposible producir resistencias chip más pequeñas que el tamaño 0402 (0,4×0,2 mm), principalmente debido a la enorme tolerancia dimensional de encapsulado de hasta ± 20um durante el proceso existente, pérdida de chip, y otros factores. ROHM superó estos retos mediante la utilización de tecnología patentada probada en el mercado, rompiendo por completo la convención con el fin de avanzar en la miniaturización de componentes.

Como resultado, la precisión dimensional extraordinaria (± 10 μm), se ha logrado, lo que también reduce las irregularidades laterales de electrodos. Métodos de empastillado mejorados permiten áreas mínimas de adherencia y una mayor precisión de montaje. Errores de montaje y “tombstoning” (cabeceo) se reducen significativamente mediante la adopción de electrodos inferiores. Montaje de alta densidad y alta precisión se ha convertido en una realidad mediante el desarrollo conjunto de la tecnología de montaje con los socios de ROHM, y finalmente, excelentes propiedades de choque y fiabilidad de unión, se han asegurado por la reducción de tamaño y peso.

En consecuencia, las resistencias de tamaño 03015 son los componentes electrónicos de pequeño tamaño más compactos disponibles en el nivel de producción, a la vez de tener una gran precisión y una mayor precisión dimensional de ± 20 um a ± 10 um. El tamaño del dispositivo se reduce en un 56% respecto a los productos de tamaño 0402 convencionales y el área de montaje requerido se reduce en un 44%.

Los diodos de barrera Schottky 0402 más pequeños del mundo permiten alta densidad de montaje para dispositivos móviles. El tamaño se ha reducido en un 44% en comparación con el tamaño 0603 convencional (0,6 mm × 0,3 mm), mientras que el área de montaje se reduce en un 56%. La precisión dimensional también mejoró de ± 20 um a ± 10 um, mejorando la estabilidad en el equipa miento de montaje automatizado existente. Mediante la adopción de estructuras de dispositivos de chips patentados y técnicas de procesamiento ultra-precisas, se mantienen las características eléctricas clave como la tensión directa (VF) y alta potencia (0,1 W), mientras que se reduce el tamaño y grosor en comparación con los productos de tamaño 0603convencional.

Se utilizan electrodos de oro en estos componentes electrónicos de pequeño tamaño para proporcionar una soldadura y fiabilidad excelentes.

Integrados para descarga de condensadores son conmutadores inteligentes de elevada tensión que se ubican en serie con las resistencias usadas para aportar un path de descarga segura en un condensador X de fuente de alimentación

Integrados para descarga de condensadores

La familia CAPZero elimina las pérdidas de potencia y permite que las fuentes de alimentación superen los nuevos estándares de seguridad, que reemplazan a las normativas IEC 60950 e IEC 60065.

Estos integrados para descarga de condensadores son conmutadores inteligentes de elevada tensión que se ubican en serie con las resistencias usadas para aportar un path de descarga segura en un condensador X de fuente de alimentación.

Sin mecanismo de conmutación, estas resistencias de descarga pueden causar una fuga constante si se conecta a AC y, por lo tanto, contribuyen a incrementar el consumo sin carga o en standby.

Los integrados para descarga de condensadores de Power Integrations bloquean el flujo de corriente para descargar las resistencias cuando se aplica una tensión AC, eliminando la energía gastada en estos componentes. Si se desconecta la tensión AC, las unidades CAPZero descargan de forma automática y segura el condensador X al cerrar el circuito y expulsar la energía.

Los CAPZero con encapsulado SO-8 resultan ideales en cualquier convertidor AC-DC con condensadores X y se suministran con MOSFET de 825 o 1000 V para soportar una amplia variedad de necesidades de diseño.

AUIRB24427S para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas utilizadas en vehículos híbridos, vehículos eléctricos y convertidores industriales de alta potencia.

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Driver doble de bajo potencial (low-side) y elevada corriente AUIRB24427S para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas utilizadas en vehículos híbridos, vehículos eléctricos y convertidores industriales de alta potencia.

El driver doble de bajo potencial AUIRB24427S suministra upara aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas utilizadas en vehículos híbridos, vehículos eléctricos y convertidores industriales de alta potencia.na corriente de salida muy elevada que supera los 6 A por canal para todo el rango de temperaturas y está diseñado para el control de las puertas de IGBT y MOSFET de gran tamaño en módulos o encapsulados discretos. Debido a la impedancia de salida extremadamente baja del dispositivo en modo de paso a conducción y a corte, las pérdidas de potencia también son muy bajas, lo cual permite su funcionamiento en entornos adversos y con altas temperaturas, como las etapas de alimentación en vehículos híbridos, bien sea como driver primario o secundario.

Presenta una disipación de potencia ultra baja, resolviendo el problema que representa controlar de manera efectiva los IGBT y MOSFET de gran tamaño utilizados en aplicaciones de fuentes conmutadas y proporciona una solución más pequeña, sencilla y robusta que las soluciones discretas existentes actualmente en el mercado.

condensadores Polymer T550 PHS DLA y T551 Polymer ofrecen la más alta precisión en tensión y entrega de energía garantizando la más baja fuga de corriente

Condensadores herméticos de polímero

La serie de condensadores Polymer T550 PHS DLA y T551 Polymer ofrecen la más alta precisión en tensión y entrega de energía garantizando la más baja fuga de corriente.

Con su robusta calidad y modo de fallo benigno, la serie PHS de condensadores herméticos de polímero son ideales para su uso en aplicaciones de gestión de energía de alto voltaje tales como convertidores elevadores, filtrado, atraco condensadores y otras aplicaciones de alta corriente de rizado.

Con reducción de ESR y una mayor retención de capacitancia a frecuencias más altas y bajas temperaturas, la serie de condensadores PHS ofrece la más alta capacidad total y la solución más económica para aplicaciones de alta potencia, todo dentro de un paquete de aproximadamente un 25% más ligero que los condensadores de tántalo.

Aplicaciones para los condensadores herméticos de polímero

KEMET, en asociación con DLA, NASA, Aerospace Corporation y varios clientes del sector aeroespacial KEMET, desarrolló DLA Dibujo 13030. Este dibujo integral incluye opciones de pruebas rigurosas para aplicaciones de confiabilidad estándar y de alto nivel, incluyendo el espacio. Para esta versión inicial, KEMET ha calificado un subconjunto de las piezas de la serie T550 para asegurar que estos productos son adecuados para aplicaciones de alta confiabilidad.

La serie de condensadores herméticos de Polímero T551 de PHS ofrece todas las ventajas de rendimiento de la T550, pero con un mayor grado de la temperatura de 125 grados C. El condensador T550 PHS Series tiene una potencia de 105 °C

SiC620 IC es compatible con una amplia gama de controladores PWM y soporta la lógica PWM de tri-estado de 5 V y 3,3 V

Etapas de potencia DrMOS

VRPower de etapas de potencia DrMOS integradas en perfil bajo, PowerPAK MLP térmicamente mejorado de 5×5 mm y 31 pines por paquete.

Proporcionando corrientes de más de 60 A por fase, los dispositivos Vishay Siliconix SiC620 son un 30% más pequeños que la generación previa de etapas de potencia de 6×6 mm, permitiendo un 3% más de eficiencia con picos del 95%.

Con reducción de corrientes parasitarias en comparación a las soluciones discretas, estos dispositivos permiten altas frecuencias de conmutación a 1,5 MHz para una mayor densidad de energía y reducción de los costes generales de la solución.

Estas nuevas etapas de potencia DrMOS integradas combinan un MOSFET de lado alto y de lado bajo TrenchFET Gen IV n-channel con índice de referencia a la resistencia, un controlador MOSFET IC avanzado, y un diodo Schottky bootstrap, todo en una área compacta de 25 mm².

El controlador de puerta de SiC620 IC es compatible con una amplia gama de controladores PWM y soporta la lógica PWM de tri-estado de 5 V y 3,3 V.

Totalmente compatible con las especificaciones DrMOS 4.0, la familia de etapas de potencia DrMOS SiC620 está diseñada para aplicaciones de alta potencia, regulador de carga multifase en los ordenadores portátiles, servidores, consolas de juegos, tarjetas gráficas, sistemas de conmutación y almacenamiento, y otros sistemas basados ​​en procesadores de alta potencia, además de alta corriente, módulos de aislamiento fuera del punto de carga.

Optimizado para carriles de entrada de 12 V, estos reguladores operan desde un rango de tensión de entrada de 4,5 V a 16 V, y proporcionan bajo retardo de propagación PWM de menos de 20 ns, ofreciendo un excelente rendimiento térmico. Los equipos disponen de una temperatura operativa de más de 50° C, más fría que las soluciones de la generación anterior.

El controlador de los dispositivos IC incorpora circuitería de Zero Current Detect para mejorar la eficiencia de carga ligera, mientras que un control adaptativo de tiempos muertos ayuda a mejorar todavía más la eficiencia en todos los puntos de carga.

11 de septiembre de 2014

Quieres manejar tu equipo Android desde su computador vea como

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MyPhoneExplorer

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MyPhoneExplorer es un software de gestión de teléfono gratuito, útil para aquellos que necesitan para explorar sus teléfonos. Funciona con Sony Ericsson y los teléfonos móviles Android (con Android 1.6 o superior). Esta aplicación se puede conectar a dispositivos móviles que utilizan conexiones de un cable USB, WIFI, infrarrojos o Bluetooth. Tan pronto como la conexión se ha establecido, se pueden realizar todo tipo de acciones (que se enumeran en la sección de características más abajo) en relación con la copia de seguridad, explorador y administrador de información personal. Funciona con casi todas las versiones de Microsoft Windows en ambos sentidos: portátil o instalador. Los usuarios de Linux pueden ejecutar este software utilizando el emulador Wine (probado con Ubuntu Linux versión 12.10).
Características
- Sincronizar tu teléfono móvil con otras aplicaciones basadas en escritorio, como Microsoft Outlook (incluyendo Express), Mozilla Thunderbird, Sunbird, Lotus Notes, Google Mail y otros.
- Sincronizar las entradas de calendario con el calendario de Microsoft Windows, Rainlendar, Tobit David, Google Calendar y calendarios compartidos netos.
- FileSync bidireccional con el teléfono
- Configurar el reloj del teléfono según la hora atómica.
- Mejorado "visor de archivos" (que se puede utilizar para mover y renombrar archivos y también para la gestión de la memoria externa) y la función de "Control del teléfono".
- Gestionar y editar perfiles, SMS, estado de la memoria, monitor de teléfono, listas de llamadas, gestionar las llamadas, sincronización automática de fotos, crear sus propias copias de seguridad mediante un Wi-Fi, Bluetooth USB-Cable o conexión.
- Funciona con una gran colección de teléfonos móviles especialmente los de Sony Ericsson y aquellos que se ejecuta Android 1.6 o superior edición.
- La única limitación se aplica a teléfonos de bajo costo que no tiene una interfaz de PC y los basados ​​en Symbian (ejemplos: W950i, W960i, G700, G900, P1i, M600i) que requieren que el PC-Suite para instalarse primero y limita la relación con la aplicación MyPhoneExplorer través del USB-cable (sin otra conexión disponible).
MyPhoneExplorer Comentario
Importante: Esta es una aplicación con publicidad así que presta atención al instalar este en el ordenador. Si te gusta este programa, me animo a hacer una pequeña donación al autor (consultar el enlace "Donate" de la parte inferior de esta página).
Si usted tiene un teléfono móvil con Android (versión 1.6 o superior) o Symbian te gustará MyPhoneExplorer. Para mantener las cosas a corto, esta solicitud de actuar como un hombre-en-el-medio, la creación de una interfaz entre el teléfono y el ordenador.
Instale la aplicación, conectar el teléfono móvil y realizar diferentes acciones: editar contactos (tanto de SIM y la memoria del teléfono), enviar mensajes SMS más rápido de su interfaz con el teclado del ordenador (útil si tienes que escribir muchos de ellos a los amigos, la familia, clientes o compañeros de trabajo, sobre todo durante la Navidad o la víspera de Año Nuevo), gestionar y editar citas, notas o alarmas, se mueven los datos de tu tarjeta SD a su PC (fotos), copia de seguridad de los datos del teléfono y así sucesivamente.
Como breve conclusión, las principales ventajas son: facilidad de uso (interfaz fácil de usar), de velocidad y de copia de seguridad (la transferencia de datos desde el teléfono a la PC). Por último, si esta aplicación te gusta visita la publicidad del blog hay muy buenos concejos para usted.

Instala en tu equipo la versión portable, es una de las preguntas que le hará el software durante la instalación.

Descarguelo aqui

 

Y en el teléfono android, ve a play store y descarga myphoneexplorer instalado y listo.

MyPhoneExplore en la Play store descargalo aquì

10 de septiembre de 2014

La serie IR66xx de IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistors)

IGBT ultrarrápidos de 600 V

 

Utilización de la tecnología de oblea fina con zanja para ofrecer las pérdidas más bajas en conducción y conmutación, los nuevos IGBT ultrarrápidos de 600 V se encapsulan junto con un diodo de recuperación suave de baja Qrr y presentan una conmutación ultrarrápida (8 KHz-30 KHz) capaz de hacer frente a cortocircuitos en 5 µs. Estos IGBT ultrarrápidos de 600 V también se caracterizan por una baja VCE(ON) y un coeficiente positivo de temperatura para facilitar su conexión en paralelo.

IR66xx de IGBT ultrarrápidos de 600 V, de puerta aislada Field Stop con puerta en zanja (Trench) y de altas prestaciones

La serie IR66xx de IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistors) también ofrece una elevada frecuencia de conmutación, temperatura máxima de unión de 175 °C y bajo nivel de EMI para mejorar la fiabilidad, aumentar la eficiencia del sistema y unas prestaciones más resistentes frente a transitorios.

Iluminación LED de elevada intensidad XLamp CXA High-Density (HD) Arrays LED

XLamp CXA High-Density (HD) Arrays LED que se dirigen a aplicaciones de iluminación LED de elevada intensidad.

Los modelos Cree XLamp CXA2590, CXA1850 y CXA1310 High-Density Arrays LED ofrecen el doble de salida de luz que alternativas con densidad “estándar” sin incrementar el tamaño, fomentando así el reemplazo de fuentes de luz de haluro metálico de cerámica (CMH).

Estos arrays LED desarrollan hasta 15.500 lúmenes y están caracterizados a +85 °C, se encuentran disponibles en temperaturas de color de 2-step y 4-step ANSI White y EasyWhite de 2700 a 6500K y ofrecen un CRI (Color Rendering Index) de 70, 80 y 93.

El CXA1850 LED Array alcanza más de 9.000 lúmenes desde una fuente de luz de 12 mm, dotando de la misma calidad de iluminación que una alternativa CMH de 70 W y usando la mitad de potencia.

Para aquellos fabricantes que buscan diseños más compactos y eficientes con el doble de brillo de un CMH y un 30 por ciento menos de potencia, el CXA1310 proporciona más de 2.000 lúmenes en una fuente de 6 mm.

Por último, el CXA2590 emite más de 15.550 lúmenes desde una fuente de 19 mm, haciendo posible luminarias con el mismo brillo y calidad de luz de una fuente de luz CMH de 150 W y menor consumo.

 

Iluminación direccional o decorativa a focos y track fixture.

Con múltiples opciones de tamaño y salida de lumen, son modelos que permiten a los fabricantes hacer frente a un gran número de aplicaciones de iluminación, al aumentar la salida de luz sin incrementar el tamaño.

3 de septiembre de 2014

Thin Diamond Films: Nuevo material para micro-máquinas

Airbags, impresoras de inyección de tinta, y video proyectores pueden no parecen tener mucho en común, pero los tres se basan en la acción de diminutos dispositivos a microescala para que funcione correctamente.

Estos dispositivos, conocidos como sistemas microelectromecánicos (MEMS), son de creciente interés para los investigadores debido a su amplia gama de aplicaciones, desde los micrófonos de biosensores.

La mayor parte de la actual generación de MEMS se fabrican principalmente de silicio, que se debe en gran parte a la relativa facilidad de la fabricación de dispositivos basados ​​en silicio con la tecnología actual. Sin embargo, MEMS basados ​​en silicio tienen algunos inconvenientes importantes: se desgastan muy rápidamente debido a la fricción y que no son biocompatibles - la prevención de posibles aplicaciones médicas futuras dentro del cuerpo humano.

Los investigadores del Centro de Materiales a Nanoescala en el Laboratorio Nacional de Argonne y un puñado de otras instituciones de todo el mundo han dirigido su atención a MEMS explorando hechas de un material relativamente nuevo conocido como el diamante ultrananocrystalline (UNCD), que son lisa y resistentes al desgaste películas delgadas de diamante.

"Se necesitan MEMS robustos y fiables para el deslizamiento y las acciones de rotación en la pequeña escala", dijo Argonne nanocientífico Anirudha Sumant. "Silicon no tiene tan buen mecánico o desgaste propiedades como el diamante."

Pero la dificultad relativa de tratar de forma a un dispositivo MEMS de UNCD complica las cosas. MEMS tienen que hacerse de forma extremadamente precisa, y sus componentes no puedan desplazarse fuera de lugar.

El objetivo del experimento era hacer que la parte de un dispositivo MEMS conocido como el actuador, que en este caso convierte la energía de calor en desplazamiento mecánico o movimiento. El actuador se parece a una red de cables de diamante que se expande y contrae como un fuelle medida que se calienta y se enfría. Esta red de filamentos de diamante está unido a un eje largo, que puede entonces ser a su vez conectada a un sistema MicroGear para proporcionar el movimiento de rotación.

Desafortunadamente, el material de diamante se ve acosado por las tensiones que los científicos necesitan encontrar formas de solucionar. El material es especialmente notorio por lo Sumant llama "esfuerzo de compresión", un fenómeno que se produce porque la red atómica del diamante no se expande tanto durante la fase caliente cuando la película se deposita en otro material. "La principal cuestión que estamos tratando de resolver es cómo reducir el estrés intrínseco en esta película", dijo Sumant.

Afortunadamente, varias de las propiedades de la película UNCD ayuda a aliviar el estrés. UNCD consiste en granos de diamante pequeñas conectadas por los límites de grano. "Se puede pensar de estos límites de grano como una red de bádminton; son flexibles en vez de rígidos, lo cual es bueno para el alojamiento de estrés ", dijo Sumant. "También está el tamaño de grano uniforme a lo largo de abajo hacia arriba, que es importante para mantener el estrés bajo."

Los investigadores fueron capaces de sintonizar la tensión intrínseca mediante la optimización de los materiales de límite de grano y el espesor de las películas.

"Esto realmente abre la puerta para el uso de diamantes para la fabricación de dispositivos MEMS avanzadas", dijo Sumant.

Un estudio basado en la investigación, el conductor de la electricidad diamante ultrananocrystalline para el desarrollo de una nueva generación de micro-actuadores , apareció en la edición del 02 de mayo de sensores y actuadores A:. Física La investigación se realizó en colaboración con Merlijn van Spengen en TU Delft Universidad de los Países Bajos y fue apoyado por el Departamento de Energía de EE.UU. Oficina de Ciencia .

Sobre el Laboratorio Nacional Argonne

Laboratorio Nacional de Argonne busca soluciones a los acuciantes problemas nacionales en materia de ciencia y tecnología. Primer laboratorio nacional de la nación, Argonne conduce de vanguardia básica y la investigación científica aplicada en prácticamente todas las disciplinas científicas. Investigadores de Argonne trabajan en estrecha colaboración con investigadores de cientos de agencias de empresas, universidades, y federal, estatales y municipales para ayudarles a resolver sus problemas específicos, promover el liderazgo científico de Estados Unidos y preparar a la nación para un futuro mejor. Con empleados de más de 60 naciones, Argonne es manejado por UChicago Argonne, LLC para el Departamento de Energía de EE.UU. Oficina de Ciencia. Para más información, visite www.anl.gov .

Acerca del Centro de Materiales a Nanoescala

El Centro de Materiales a Nanoescala en el Laboratorio Nacional Argonne es uno de los cinco Centros DOE nanoescala Ciencia investigación (NSRCs), principales centros nacionales de usuarios de la investigación interdisciplinaria en la nanoescala, apoyados por la Oficina de Ciencia del DOE. Juntos los NSRCs comprenden un conjunto de instalaciones complementarias que proporcionan a los investigadores la capacidad del estado de la técnica para fabricar, procesar, caracterizar y materiales modelo a escala nanométrica, y constituyen la mayor inversión en infraestructura de la Iniciativa Nacional de Nanotecnología. Los NSRCs se encuentran en Argonne del Departamento de Energía, Brookhaven, Lawrence Berkeley, Oak Ridge y Sandia y Los Alamos National Laboratories. Para mayor información sobre los NSRCs DOE, por favor visite el sitio web de la Oficina de Ciencia .

RF Material de capacidad para el uso de los PCB

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Un material compuesto de polímero cerámico-funcional de partículas lleno de novela ha sido desarrollado para el uso ya sea en elementos discretos en el PCB o en ser incrustado dentro del sustrato de envasado para aplicaciones de circuitos de alta frecuencia. Este material proporciona las propiedades deseadas tales como baja pérdida a frecuencias elevadas (alrededor de 0.002 o menos hasta 10GHz) y alta resistencia dieléctrica, entre otras propiedades mejoradas. Las propiedades eléctricas influyó significativamente en la funcionalidad de partículas de cerámica (tipo y tamaño de partícula / distribución en la matriz polimérica). Se discutirán sus contribuciones a la fuerza eléctrica y estabilidad de temperatura de capacitancia (que es un tema importante material para la aplicación del dispositivo práctico). Además, la tolerancia de capacitancia para la fabricación de un condensador de RF integrado se presentará en términos de uniformidad de ataque químico para reducir al mínimo la variación de las áreas de los electrodos de condensadores.

Introducción

Materiales dieléctricos de base orgánica ha sido explorado por el uso ya sea en componentes pasivos discretos en el PCB o está incrustado dentro del sustrato de envasado, como parte de los circuitos de RF / microondas. Uso-funcionales-partículas de cerámica (rellenos), material compuesto polímero relleno es simplemente una manera conveniente y de bajo costo (para competir con condensadores de chip de cerámica) lograr una baja ESR (resistencia en serie equivalente), alta SRF (frecuencia de resonancia propia) para la aplicación condensador de RF que puede soportar frecuencias muy por encima de 1 GHz.
Además, la incorporación de cargas en el polímero mejora la propiedades de los materiales dieléctricos (por la optimización de la química de relleno y su distribución en la matriz de polímero), tales como estabilidad de la temperatura de la capacitancia para el circuito de RF de alta precisión y rigidez dieléctrica (la intensidad de campo máxima DC eléctrica aplicada a través de los dieléctricos en el condensador RF) para una posición de alta tensión, que es esencial, especialmente para los servidores, picocelda y células femto en el espacio del mercado de estaciones base. Generalmente, los rellenos son ampliamente aceptadas en diversas aplicaciones debido a su ventaja en el tratamiento de varias limitaciones de los polímeros, haciendo su camino en beneficios tales como una mejor estabilidad dimensional para la membrana de material compuesto de polímero, menor coeficiente de expansión térmica (CTE) para la capa de acumulación, aumentando conductividad térmica de materiales de interfaz térmica (TIM), y la mejora de la rigidez de los materiales de subutilización. En cuanto a las cargas en aplicación condensador de RF, que se basa actualmente casi en su totalidad en la simple perovskita BaTiO3 (titanato de bario), pero hay una fuerte demanda de la clase de materiales conocidos como paraelectrics, debido principalmente al hecho de que sus propiedades dieléctricas son mucho más estable con respecto a la mayoría de las condiciones de funcionamiento tales como la frecuencia, la temperatura y polarización de CC.

Materiales de grafeno: Opto Electrónica y Aplicaciones

El grafeno es una (2D) de material bidimensional con propiedades excepcionales, como la conductividad eléctrica y térmica ultra altas, transmitancia óptica de largo alcance y una excelente resistencia mecánica y flexibilidad. Estas propiedades hacen que sea un material prometedor para nuevas y existentes aplicaciones en circuitos impresos y flexible, transistores ultrarrápidos, pantallas táctiles, baterías y supercondensadores avanzadas, láseres ultrarrápidos, fotodetectores y muchas otras aplicaciones que no sean electrónicas.

Aunque la tecnología de grafeno se encuentra todavía en su infancia, se han hecho notables progresos en los últimos años en el desarrollo de métodos de producción de grafeno. Numerosos dispositivos optoelectrónicos y electrónicos basados ​​en el grafeno se han demostrado en modelos a escala de laboratorio. Sin embargo, los numerosos desafíos de la tecnología de grafeno no deben ser subestimados. La falta de banda prohibida en el grafeno es su reto fundamental clave. Otros desafíos tecnológicos están relacionados con el desarrollo de métodos industriales para producir grafeno con calidad alta y constante a costos aceptables.

Aunque hoy en día no hay ninguna solicitud electrónica basada en el grafeno en la producción en masa, varias empresas ya ofrecen materiales comercialmente grafeno. El valor de mercado de materiales de grafeno en 2013 fue de aproximadamente $ 11 millones, representado principalmente por la demanda de la I + D y la creación de prototipos. Dos escenarios para el futuro crecimiento del mercado se presentan en el informe. De acuerdo con el escenario base, el valor de mercado anual mundial de materias de grafeno en aplicaciones opto electrónicos y llegará a $ 141 millones en 2024, con un CAGR 2013-2019 del 18,5%. Se espera que el crecimiento del mercado se aceleró después de 2019, con un CAGR 2019-2024 del 35,7%. En 2024, el mercado de materiales de grafeno estará representada principalmente por la demanda de electrodos conductores transparentes y baterías avanzadas y supercondensadores.

¿Cómo pueden los retos grafeno Tecnología y la eventual aplicación transformarse en oportunidades de negocio?

Con el fin de alcanzar el mejor rendimiento posible en los dispositivos a escala de laboratorio, se requieren materiales de alta calidad. Los proveedores de materiales capaces de entregar constantemente materiales de alta calidad tienen una ventaja competitiva en el mercado de grafeno.

El interés creciente en tecnologías de grafeno ha llevado a una alta demanda de equipos de grafeno. Como se muestra en el informe, los fabricantes de equipos CVD hoy se centran principalmente en el equipo de I + D se utiliza para producir grafeno de alta calidad.

Los fabricantes de dispositivos líderes están actualmente evaluando el potencial de la tecnología de grafeno; la mayoría de ellos tienen actividades internas de I + D o están desarrollando asociaciones de I + D con los proveedores de materiales de grafeno. Pero la cadena de suministro de grafeno de hoy es muy dispersa y hace que la elección del proveedor adecuado difícil. Un gran (y creciente) número de empresas de nueva creación están buscando para atrapar las oportunidades de mercado de grafeno en su etapa inicial. Asegurar IP grafeno es crucial para una fuerte posición competitiva. Como se detalla en el informe, se espera que los fuertes tendencias de integración vertical dentro de la cadena de suministro, debido a los problemas específicos de la producción y el manejo de los materiales de grafeno, hojas de grafeno es decir, hechas-CVD. Los fabricantes de nanoplatelets grafeno también integrarán verticalmente para obtener un producto de mayor valor y mejor diferenciación de los competidores al ofrecer materiales específicos de la aplicación, tales como tintas conductoras y materiales compuestos para baterías y supercondensadores de grafeno.

Como se señala en el informe, existen muchos diferentes tipos de materiales de grafeno y niveles de calidad. Un mayor nivel de estandarización tanto, es importante en la tecnología de grafeno, especialmente para los proveedores de materiales de grafeno de alta calidad para una mejor diferenciación de otros proveedores, y para las empresas con una estrategia de negocio a largo plazo. La falta de herramientas de caracterización de la calidad adecuados grafeno ofrece oportunidades para las empresas en desarrollo de herramientas especializadas.

Materiales de grafeno: calidad, cantidad, reproducibilidad y Low Cost Necesarios

El desarrollo y la producción industrial de las nuevas aplicaciones de grafeno requieren un suministro fiable de grafeno con una alta calidad constante.

Materiales de grafeno pueden ser producidos en forma de pequeñas escamas (nanoplatelets) o en la forma de una hoja de gran tamaño en diferentes sustratos, tales como una lámina de metal o carburo de silicio (SiC).

La deposición catalítica vapor químico (CVD) de grafeno sobre metales, con el alto potencial tanto para la escalabilidad y la alta calidad de los materiales, tiene el mayor potencial para la producción en masa de opto grafeno y dispositivos electrónicos. Aunque el potencial de mercado de grafeno epitaxial de alta calidad sobre SiC está limitado por las dimensiones y altos costos de obleas de SiC, que se puede aplicar con éxito para producir algunas aplicaciones electrónicas de alta gama. Los nanoplatelets producidos por diferentes métodos, como la epitaxia en fase líquida o reducción del óxido de grafeno pueden ser utilizadas para producir tintas conductivas para la electrónica impresa y materiales aditivos para los dispositivos de almacenamiento de energía, tales como baterías de ion-litio y supercondensadores.

La elección de la técnica de producción de grafeno es de crucial importancia para un fabricante de dispositivos ya que influye no sólo el grafeno tamaño, calidad y costes, sino también el diseño de la línea de producción para la fabricación de dispositivos.

Ceramistan 1031, un estaño puro baño de recubrimiento electrolítico especialmente formulado para su uso con componentes de cerámica sensibles

Technic ha anunciado el lanzamiento de Ceramistan 1031, un estaño puro baño de recubrimiento electrolítico especialmente formulado para su uso con componentes de cerámica sensibles. El proceso Ceramistan 1031 produce un depósito de grano pequeño y denso que proporciona una excelente capacidad de soldadura, incluso después de partes han sido expuestos a las pruebas era del vapor extendida. Además, los depósitos de Ceramistan 1031 pueden reducir significativamente o eliminar por completo las salpicaduras durante el reflujo, un problema que a menudo se produce con un baño de estaño estándar.

El proceso Ceramistan 1031 ofrece una serie de características clave de ahorro de costes, incluyendo acoplamiento mínimo, la vida del baño más largo, y la reducción de oxidación de estaño. El proceso es compatible con todos barril estándar y líneas de placas vibratorias, y SBE placas equipo de Technic. Ceramistan 1031 se está utilizando actualmente en producción en todo el mundo y es fácilmente disponible para la siembra de la muestra a todos los laboratorios de aplicaciones de Technic o en las instalaciones de producción de un cliente.

Acerca de Technic, Inc.

Technic, Inc. es una situación financiera sólida corporación privada, con sede en EEUU. Por más de 70 años, Técnica ha sido un proveedor mundial de productos químicos especiales, equipos de acabado a medida, polvos de ingeniería y sistemas de control analíticos a la componente electrónico, tarjeta de circuitos impresos, semiconductores, fotovoltaica, acabado industrial, y las industrias de decoración. Para obtener información sobre Technic y productos Technic, visitan www.technic.com o llame al (401) 781-6100.

La electrónica impresa. huecograbado, flexografía, inyección de tinta y serigrafía

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En electrónica, la mayor parte de I + D se ha centrado tradicionalmente en el desarrollo de nuevas tecnologías que pueden tener tanto beneficios incrementales o para abrir camino. Sin embargo, la electrónica impresa es un ejemplo de cómo una tecnología establecida encuentra nuevas aplicaciones debido a la innovación en diversos campos de estudio. La electrónica impresa implica el uso de las tecnologías de impresión para la fabricación de dispositivos electrónicos que utilizan tintas conductoras y sustratos no de silicio. El Silicio ha sido el material clave para su uso en electrónica. Aunque, con el aumento de la demanda de productos electrónicos flexibles, de bajo costo que atienden a las aplicaciones innovadoras y futuristas, la industria electrónica se ha orientado hacia la tecnología tradicional de impresión.

Diversos métodos de impresión se pueden aplicar para la electrónica impresa. Sin embargo los más prometedores son huecograbado, flexografía, inyección de tinta y serigrafía. Según el análisis de Frost & Sullivan, en 2011, la serigrafía representó alrededor del 70,3% del mercado mundial de equipos de tecnología de impresión.

El proceso de impresión de pantalla es muy versátil y se puede utilizar en una amplia gama de materiales. Una ventaja importante de impresión de la pantalla reside en la capacidad para aplicar niveles más gruesas de tinta que otros procesos de impresión. Equipo de impresión de pantalla, en promedio, es menos costoso que otros equipos para diferentes procesos. Aunque serigrafía normalmente sigue un método de alimentación de hojas, también puede apoyar un proceso de rollo a rollo. Como cuestión de hecho, la fabricación de rollo a rollo se dará cuenta el verdadero potencial de la electrónica impresa, ya que permite mayores tasas de producción, aunque todavía hay una necesidad de tener todo el proceso con capacidad para un rollo a rollo. Algunos pasos de la línea de producción, tales como la deposición de capas atómicas, han sido tradicionalmente incompatibles con los procesos de rollo a rollo, pero se han hecho esfuerzos para desarrollar la deposición de capas atómicas (ALD) sistemas para la fabricación a escala industrial que utilizan este proceso por empresas como Finlandia-basado Beneq y Picosun.

Principales aplicaciones de la electrónica impresa

Debido a que la electrónica impresa generan dispositivos de bajo costo, la rentabilidad de las empresas, será muy importante sólo si se atienden a los mercados de masas. Tal vez el uso más común de la electrónica impresa es en la fabricación de identificación por radiofrecuencia (RFID) de bajo costo que se puede utilizar en innumerables industrias y puede ser una tecnología disruptiva para la tecnología actualmente utilizada ampliamente-de códigos de barras. Sensores impresos son otra área importante de aplicación de la electrónica impresa, donde el volumen de producción será impulsar la rentabilidad de las empresas. Para aplicaciones que requieren sensores desechables, la clave está en la fabricación en masa a un costo bajo, y las tecnologías de impresión permitirá esto.

2 de septiembre de 2014

SSL5511T Regulable LED controlador IC con pin DIM

SSL5511T block diagram

El SSL5511T es un controlador regulable offline IC, destinado a conducir LEDs regulables en aplicaciones de iluminación general, como luminarias con control remoto y lámparas inteligentes.

El CI impulsa un interruptor externo para un fácil escalado de potencia. Ha sido diseñado para poner en marcha directamente desde la fuente de alto voltaje (HV) por una fuente de corriente interna de alto voltaje. Retorno, se admiten topologías buck y buck-boost circuito. Detección Primario proporciona una salida precisa de control actual.

La IC puede detectar señales analógicas (según IEC60929 anexo E) o señales de control digitales y traducirlos a una corriente de LED continua de múltiples maneras. Se puede funcionar en tres modos de conmutación en dos intervalos de frecuencia de conmutación. Ofrece soluciones de compromiso entre la salida de ondulación de la corriente, la corriente eléctrica de distorsión armónica total (THD) y el tamaño de la aplicación. El IC incorpora muchas características de protección.

Características y beneficios

  • De alta eficiencia del modo de interruptor Reductor, Retorno o controlador buck-boost conducir un FET de potencia externa
  • Bajo THD seleccionable o modos de ondulación de la corriente LED de baja
  • Entrada analógica IEC60929 o entrada de control digital para la regulación
  • Continua (analógica) la regulación de la corriente de LED, tanto en los modos de control de atenuación
  • Selección de la curva Dim basado en el tipo de entrada de control
  • Una amplia gama de protecciones internas
  • Solución de controlador LED Recuento bajo componente

Aplicaciones

  • Retrofit inteligente regulable lámparas LED
  • Módulos de los controladores regulables inteligentes para la iluminación LED

 

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Placa de demostración SSL5511DB1214

SSL5511DB1214 Demoboard picture

100 V 20 junta no aislada 0-10 V regulable LED de demostración conductor W

Descripción placa de demostración

El SSL5511T es un controlador de alta eficiencia para la IC regulable analógico / PWM soluciones LED. La placa de demostración SSL5511DB1214 es una solución de controlador LED compacto y de bajo costo buck-boost optimizado para funcionar bajo THD.
La junta SSL5511DB1214 demostración impulsa una corriente constante a través de los LEDs a una red de 100 VCA tensión de entrada rectificada. Esta placa de demostración de 20 W está optimizado para una tensión de cadena de LED de 80 V a 200 mA. El diseño y los componentes utilizados garantizan que la junta encaja en la lámpara colgante LED, accesorios y la base se ilumina.

Características

  • AC voltaje de entrada de línea: 100 V ± 20%
  • Tensión de salida: 80 V (rango: 50 V a 90 V)
  • Corriente de salida: 214 mA
  • Ondulación de la corriente de salida: <10%
  • Potencia de entrada nominal: 20 W
  • Eficiencia:> 88%
  • Factor de energía:> 0.9
  • THD: <20%
  • IC utilizado: SSL5511T

Resumen descriptivo

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